[发明专利]用于引线接合的超声波换能器与使用超声波换能器形成引线接合的方法有效
申请号: | 201410548734.3 | 申请日: | 2010-08-10 |
公开(公告)号: | CN104465422B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | D·A·迪安杰利斯;G·W·舒尔策 | 申请(专利权)人: | 库利克和索夫工业公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 陈松涛,王英 |
地址: | 美国宾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 引线 接合 超声波 换能器 使用 形成 方法 | ||
1.一种使用耦合至引线接合机的换能器的接合工具来形成引线接合的方法,所述换能器包括驱动器,所述方法包括以下步骤:
(1)施加第一频率的电能给所述驱动器;以及
(2)在施加所述第一频率的所述电能的同时施加第二频率的电能给所述驱动器,所述第一频率与所述第二频率彼此不同,
其中所述方法进一步包括使所述驱动器包括多个压电元件,各所述多个压电元件被分成至少两个彼此电气隔离的区域的步骤,并且其中步骤(1)包括施加所述第一频率的电能给各所述多个压电元件的所述至少两个区域中的第一区域,且步骤(2)包括施加所述第二频率的电能给各所述多个压电元件的所述至少两个区域中的第二区域。
2.如权利要求1所述的方法,其中步骤(1)包括施加115kHz的第一频率的电能给所述驱动器。
3.如权利要求1所述的方法,其中步骤(2)包括施加120kHz的第二频率的电能给所述驱动器。
4.如权利要求1所述的方法,其中步骤(1)包括施加115kHz的第一频率的电能给所述驱动器,且步骤(2)包括施加120kHz的第二频率的电能给所述驱动器。
5.如权利要求1所述的方法,其中步骤(1)包括施加所述第一频率及所述第二频率的电能给各所述多个压电元件的所述至少两个区域中的第一区域,且步骤(2)包括施加所述第一频率及所述第二频率的电能给各所述多个压电元件的所述至少两个区域中的第二区域。
6.如权利要求5所述的方法,其中施加给所述第一区域及所述第二区域的所述第一频率的电能彼此同相,且施加给所述第一区域及所述第二区域的所述第二频率的电能彼此异相。
7.如权利要求1所述的方法,其中施加所述第一频率及所述第二频率的电能给所述驱动器导致由所述接合工具的尖端产生非线性刷磨。
8.一种使用耦合至引线接合机的换能器的接合工具来形成引线接合的方法,所述换能器包括驱动器,所述方法包括以下步骤:
(1)施加第一频率的电能给所述驱动器以在第一方向上驱动所述接合工具的尖端;以及
(2)施加第二频率的电能给所述驱动器以在第二方向上驱动所述接合工具的尖端,所述第一方向不同于所述第二方向,
其中所述方法进一步包括使所述驱动器包括多个压电元件,各所述多个压电元件被分成至少两个彼此电气隔离的区域的步骤,并且其中步骤(1)包括施加所述第一频率的电能给各所述多个压电元件的所述至少两个区域中的第一区域,且步骤(2)包括施加所述第二频率的电能给各所述多个压电元件的所述至少两个区域中的第二区域。
9.如权利要求8所述的方法,其中对所述驱动器施加所述第一频率的电能与对所述驱动器施加所述第二频率的电能是同时发生。
10.如权利要求8所述的方法,其中对所述驱动器施加所述第一频率的电能与对所述驱动器施加所述第二频率的电能不是同时发生。
11.如权利要求8所述的方法,其中步骤(1)包括施加115kHz的第一频率的电能给所述驱动器。
12.如权利要求8所述的方法,其中步骤(2)包括施加120kHz的第二频率的电能给所述驱动器。
13.如权利要求8所述的方法,其中步骤(1)包括施加115kHz的第一频率的电能给所述驱动器,且步骤(2)包括施加120kHz的第二频率的电能给所述驱动器。
14.如权利要求8所述的方法,其中步骤(1)中的所述电能的施加导致所述接合工具的尖端产生大致沿所述引线接合机的X轴的刷磨,且其中步骤(2)中的所述电能的施加导致所述接合工具的尖端产生大致沿所述引线接合机的Y轴的刷磨。
15.如权利要求8所述的方法,其中步骤(1)包括施加所述第一频率及所述第二频率的电能给各所述多个压电元件的所述至少两个区域中的第一区域,且步骤(2)包括施加所述第一频率及所述第二频率的电能给各所述多个压电元件的所述至少两个区域中的第二区域。
16.如权利要求15所述的方法,其中施加给所述第一区域的所述第一频率的电能与施加给所述第二区域的所述第一频率的电能彼此同相,且施加给所述第一区域的所述第二频率的电能与施加给所述第二区域的所述第二频率的电能彼此异相。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造