[发明专利]用于检测存储器件中可逆电阻转换元件的设置过程的装置有效
申请号: | 201410534704.7 | 申请日: | 2009-09-23 |
公开(公告)号: | CN104409096B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 陈映彰;马可·卡扎尼加 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 王姗姗 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 存储 器件 可逆 电阻 转换 元件 设置 过程 装置 | ||
1.一种用于检测存储器件中可逆电阻转换元件的设置过程的装置,包括:
位线(915,1117),其耦接到所述可逆电阻转换元件(924,926,928;1120,1122,1124);
斜坡变化装置,用于使所述位线的电压斜坡上升直到所述位线的所述电压足够将所述可逆电阻转换元件的电阻转换到更低级别;以及
检测装置(900,1112),其耦接到所述位线,用于当所述可逆电阻转换元件的所述电阻转换时进行检测,
其中,所述斜坡变化装置包括:运算放大器(1104),斜坡上升的电压被输入到所述运算放大器的第一输入端子(1129),以及具有耦接到所述运算放大器的栅极的第一晶体管(1114),所述运算放大器在所述栅极处提供电压(VSFG),所述第一晶体管的源极处的电压跟随在所述栅极处的电压;以及
所述检测装置包括比较器(1112),所述比较器(1112)具有耦接到所述第一晶体管的漏极的第一输入端子(1113)和接收固定参考电压(VREF)的第二输入端子(1135)。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括:
预充电电路(916,918,920,922),其在所述位线的所述电压斜坡上升之前对所述位线预充电。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,
当所述斜坡上升的电压输入到所述运算放大器(1104)的所述第一输入端子(1129)时,所述位线处的所述电压(VBL)斜坡上升直到其达到足够将所述可逆电阻转换元件的电阻转换到更低级别的电平,在所述电压(VBL)达到所述电平的时间在所述第一晶体管的所述漏极处的电压(VSENSE)下降到固定参考电压的电平以下,从而使所述比较器的输出信号反转。
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