[发明专利]一种高稳定性可循环使用表面增强拉曼基底及制备方法

权利要求书

1.一种高稳定性可循环使用表面增强拉曼效应基底，其特征在于，在银纳米棒阵列薄膜表面上均匀沉积一层非晶态氧化钛薄膜，得到银@氧化钛复合纳米棒阵列薄膜作为表面增强拉曼效应基底。

2.根据权利要求1所述的表面增强拉曼效应基底，其特征在于，所述银纳米棒阵列薄膜为斜棒阵列薄膜或者圆柱直棒阵列薄膜，纳米棒长度为300nm～500nm，所述非晶态氧化钛薄膜的厚度不大于5nm。

3.一种根据权利要求1-2任意一项所述的表面增强拉曼效应基底的制备方法，其特征在于，利用倾斜生长方法，在基片上沉积金属银，得到银纳米棒阵列薄膜；利用原子层沉积技术在银纳米棒阵列薄膜表面沉积一层非晶态氧化钛薄膜，得到银@氧化钛复合纳米棒阵列薄膜作为表面增强拉曼效应基底。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，利用倾斜生长方法制备银纳米棒阵列薄膜的步骤为：在室温下，将基片固定在电子束蒸发镀膜机的样品台上；采用金属银为靶材，将电子束蒸发镀膜机腔室抽至真空度为3×10^－5Pa～8×10^－5Pa；调整电子束入射角为82度～88度，并使样品台静止或以5rpm～10rpm的速率旋转，在样品台的基底上生长银纳米棒阵列薄膜。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，利用原子层沉积技术沉积氧化钛薄膜时，将预先制备好的银纳米棒阵列薄膜放入原子层沉积反应腔体中部，以四二甲氨基钛和水作为反应前驱体，交替通入反应腔体中，腔体温度为82℃～100℃。