[发明专利]一种制备均匀掺铬仲钨酸铵的方法有效

专利信息
申请号: 201410512136.0 申请日: 2014-09-29
公开(公告)号: CN104291379A 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 赵立夫;黄海;万林生;潘明然 申请(专利权)人: 崇义章源钨业股份有限公司;江西理工大学
主分类号: C01G41/00 分类号: C01G41/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 341000*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 均匀 掺铬仲钨酸铵 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于钨冶炼生产技术领域,具体涉及一种制备均匀掺铬APT(仲钨酸铵)的方法。

背景技术

硬质合金因具有高熔点、高硬度和高强度等一系列的优良性能,广泛应用于现代工具材料、耐磨材料、耐高温和耐腐蚀材料中。其中超细晶粒的                                                硬质合金因具有高硬度、高强度的“双高”性能而成为硬质合金的发展方向。液相烧结 WC 晶粒快速长大是制约超细硬质合金发展的一大瓶颈。研究表明,过渡族金属碳化物(Cr3C2)能有效抑制液相烧结过程 WC 晶粒长大。因此,当前制备亚微米以下的硬质合金,通常采用添加晶粒长大抑制剂抑制WC 晶粒长大。而抑制剂的抑制效果与抑制剂的分布状态紧密相关。

目前制备亚微米以下的硬质合金,主要采用机械混合法,该方法主要是在超细钨粉中按需求加入铬粉或碳化铬,机械混合后碳化、压制烧结制备硬质合金。因添加的晶粒生长抑制剂分布不均匀,会引发“WC 晶粒”非正常长大,严重影响了硬质合金的“双高”性能,极大的制约了超细硬质合金的发展。

发明内容

(1)要解决的技术问题

本发明为了克服抑制剂分布不均匀,引发“WC 晶粒”非正常长大的缺点,本发明要解决的技术问题是提供一种制备均匀掺铬仲钨酸铵的方法,促使晶粒生长抑制剂分布更加均匀,达到分子级混合,有效的抑制液相烧结过程WC晶粒非正常长大,有利于提高超细硬质合金的性能。

(2)技术方案

为了解决上述技术问题,本发明提供了这样一种制备均匀掺铬仲钨酸铵的方法。

本发明是利用共沉淀原理,在碱性钨酸铵溶液中加入可溶性三价铬盐,蒸发结晶制备掺铬均匀的仲钨酸铵,铬以氢氧化铬形式存在于仲钨酸铵粉末中。

本发明采用如下技术方案:

一种制备均匀掺铬仲钨酸铵的方法,其步骤如下:

(1)氨溶WO3:分别加入相应的WO和氨水于反应釜内,100 ℃反应1 h,制备钨酸铵溶液,其中WO3浓度150-350 g/L,NH4OH浓度1.8-5.0 mol/L;

(2)将钨酸铵溶液加入内衬钛材结晶锅内,搅拌速度为70r/min,一边搅拌一边缓慢加入可溶性三价铬盐乙酸铬,开启蒸汽阀门调节蒸汽至0.10-0.30MPa;温度控制为90-100℃,加热蒸发结晶。控制铬在仲钨酸铵粉末中的质量比为0.22~0.60%;

(3)结晶锅内液面完全沸腾后,保持搅拌不变,关闭蒸汽;

(4)待结晶锅内出现晶核,搅拌速度调节到30 r/min,开启蒸汽阀门并保持蒸汽压力为0.05-0.10MPa;

(5)当溶液密度到1.1 g/cm3,控制搅拌速度到70 r/min,开启蒸汽阀门并保持蒸汽压力为0.20-0.30 MPa;

(6)当溶液pH=6.7-7.0停止加热,冷却,放料。

(3)有益效果

本发明的有益效果是:①本发明可以制备铬分布均匀仲钨酸铵粉末,铬均匀分布于每个仲钨酸铵晶界处,实现了分子级混合。掺铬较不掺工艺制备的仲钨酸铵,Fuss粒度更小,粒度分布更均匀。制备的掺铬仲钨酸铵能有效的抑制液相烧结过程WC晶粒非正常长大,较大的提高硬质合金性能。本发明所述的方法,可以利用企业现有的设备,不需要额外增加设备,能够有效降低设备的投入,从而降低成本。

附图说明

图1为本发明工艺流程图。

图2为实例1工艺条件制备掺铬APT电镜照片(1100倍)。

图3为实例1工艺条件制备掺铬APT电镜照片(300倍)。

图4为实例1工艺条件制备掺铬APT电镜及能谱图。

图5为实例1工艺条件制备掺铬APT XRD结果。

图6为实例1工艺条件由掺铬APT制备硬质合金金相照片。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。

实施例1

一种制备均匀掺铬仲钨酸铵的方法,其步骤如下:

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