[发明专利]快闪存储器装置及快闪存储器的写入方法

说明书

本发明提供一种快闪存储器装置及快闪存储器的写入方法。快闪存储器的写入方法包括：设定初始写入电压，依据初始写入电压产生写入电压以针对快闪存储器进行至少一写入动作，并进行分别对应至少一写入动作的至少一写入验证动作，当第N次的写入验证动作的验证结果为正确时，依据N产生电压调整参数，其中N为正整数，再依据电压调整参数以及初始写入电压来产生最终写入电压，并依据最终写入电压对快闪存储器进行最终写入动作。

技术领域

本发明是有关于一种快闪存储器，且特别是有关于一种快闪存储器装置及快闪存储器的写入方法。

背景技术

关于快闪存储器的抹除及写入循环(Erase/program cycle,简称E/Pcycle)中，在进行写入的过程中，会逐次的提升写入电压来对快闪存储器进行写入的动作，直至对应的写入验证动作的结果是正确的为止。并且，为加强快闪存储器的数据的可靠度，在当写入验证动作的结果是正确的之后，还会针对快闪存储器进行最终写入动作(last program)。

在现有技术的领域中，进行最终写入动作所依据的最终写入电压是固定的。因此，请参照图1A以及图1B分别示出的快闪存储器未进行以及已进行最终写入动作的存储单元数量与临界电压的关系图。由图1A以及图1B的差异可以得知，在现有技术中，进行过最终写入动作后，快闪存储器会有多数个存储单元的临界电压偏移至过高的区域Z1中，并造成快闪存储器的存储单元的临界电压分布异常的现象。

发明内容

本发明提供一种快闪存储器装置及快闪存储器的写入方法，有效防止快闪存储单元因最终写入动作而产生临界电压过高的现象。

本发明的快闪存储器的写入方法包括：设定初始写入电压，依据初始写入电压产生写入电压以针对快闪存储器进行至少一写入动作，并进行分别对应至少一写入动作的至少一写入验证动作，当第N次的写入验证动作的验证结果为正确时，依据N产生电压调整参数，其中N为正整数，再依据电压调整参数以及初始写入电压来产生最终写入电压，并依据最终写入电压快闪存储器进行最终写入动作。

本发明的快闪存储器装置包括多数个存储单元以及控制器。存储单元形成存储器阵列。控制器设定初始写入电压，依据初始写入电压产生写入电压以针对快闪存储器进行至少一写入动作，并进行分别对应该至少一写入动作的至少一写入验证动作。当第N次的写入验证动作的验证结果为正确时，控制器依据N产生电压调整参数，其中N为正整数，并且，控制器依据电压调整参数以及该初始写入电压来产生最终写入电压，并依据最终写入电压该快闪存储器进行最终写入动作。

基于上述，本发明依据快闪存储器所需的写入动作的次数来动态调整进行最终写入动作的最终写入电压。也就是说，本发明中，进行最终写入动作所依据最终写入电压的电压值的是动态的依据快闪存储器的存储单元的临界电压的移动速度来调整的。如此一来，最终写入动作可是硬性的针对具有不同特性的快闪存储器来进行，使写入动作的效益可以有效的提升。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A为快闪存储器未进行最终写入动作的存储单元数量与临界电压的关系图；

图1B为快闪存储器已进行最终写入动作的存储单元数量与临界电压的关系图；

图2为本发明实施例的快闪存储器的写入的流程图；

图3为本发明一实施例的快闪存储器装置的示意图；

图4为本发明实施例的控制器的方块图。

附图标记说明：

Z1：区域；

S210～S230：写入的步骤；

300：快闪存储器装置；