[发明专利]显示装置、其操作方法及制造其中的光学感测阵列的方法有效
申请号: | 201410483939.8 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN105487724B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | R.I.麦卡特尼 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G06F3/042 | 分类号: | G06F3/042;G09G3/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 操作方法 制造 中的 光学 阵列 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
像素阵列,包括多个像素,每个所述像素包括多个子像素;
黑矩阵,位于所述子像素之间;以及
完全形成在所述黑矩阵处的光学感测阵列,所述光学感测阵列包括行导体以及在交叉区域交叉所述行导体的列导体。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中所述光学感测阵列还包括在所述交叉区域耦接到所述行导体并耦接到所述列导体的感测二极管,其中所述感测二极管配置为响应于入射在所述感测二极管上的光来产生电流,所述电流流至所述列导体。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中所述光学感测阵列还包括阻挡二极管,该阻挡二极管在所述交叉区域处耦接到所述行导体并耦接到所述列导体,并与所述感测二极管串联耦接。
4.如权利要求3所述的显示装置,其中所述阻挡二极管的阴极面对所述感测二极管的阴极。
5.如权利要求4所述的显示装置,其中所述感测二极管的阳极耦接到所述列导体。
6.如权利要求4所述的显示装置,其中所述阻挡二极管的阳极耦接到所述行导体。
7.如权利要求6所述的显示装置,其中所述行导体耦接到开关,该开关配置为将耦接到所述行导体的所述阻挡二极管和所述感测二极管耦接到电压源,使得所述阻挡二极管被正向偏置,并使得所述感测二极管被反向偏置。
8.如权利要求7所述的显示装置,其中所述感测二极管配置为当所述行导体经由所述开关耦接到所述电压源时产生与入射在所述感测二极管上的光成比例的电流。
9.如权利要求8所述的显示装置,其中所述列导体耦接到电流传感器,以及其中所述电流传感器配置为具有可忽略的电阻。
10.如权利要求9所述的显示装置,其中当所述行导体经由所述开关耦接到所述电压源时,由所述感测二极管产生的电流穿过经由所述列导体耦接到所述感测二极管的所述电流传感器。
11.如权利要求3所述的显示装置,其中所述光学感测阵列对于所述像素阵列的每四个像素包括一个感测二极管和一个阻挡二极管。
12.如权利要求2所述的显示装置,还包括配置在所述感测二极管上的部分光通滤波器,其中所述部分光通滤波器配置为阻挡一波长范围的光到达所述感测二极管,并配置为允许其余波长范围的光到达所述感测二极管。
13.如权利要求12所述的显示装置,还包括邻近所述光学感测阵列的光发射阵列,其中所述光发射阵列配置为产生所述其余波长范围的光。
14.如权利要求2所述的显示装置,其中所述感测二极管包括量子点膜层。
15.如权利要求1所述的显示装置,其中所述光学感测阵列位于所述黑矩阵内。
16.一种在显示装置的黑矩阵上制造光学感测阵列的方法,该方法包括:
在所述黑矩阵上形成部分光通滤波器;
在所述部分光通滤波器上形成透明电极;以及
在所述透明电极上形成量子点膜。
17.如权利要求16所述的方法,还包括在所述量子点膜上形成金属导体。
18.如权利要求17所述的方法,还包括:
在所述部分光通滤波器上形成光屏蔽;以及
在所述透明电极、所述量子点膜和所述光屏蔽上形成绝缘体。
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