[发明专利]充电控制方法以及充电系统有效
申请号: | 201410461481.6 | 申请日: | 2014-09-11 |
公开(公告)号: | CN104269893B | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 李城铭;倪漫利 | 申请(专利权)人: | 深圳天珑无线科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 518053 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 充电 控制 方法 以及 系统 | ||
1.一种充电控制方法,其特征在于,所述充电控制方法包括:
充电器与待充电设备连接;
在所述充电器的输出端产生方波的充电电压信号;
所述充电器的充电控制芯片检测与所述充电电压信号成线性关系的监控采样电压;
所述充电控制芯片根据所述监控采样电压获取所述充电电压信号的波形并根据所述波形调整所述充电器输出的充电电压和充电电流;
其中,所述充电控制芯片通过其电压检测引脚检测所述监控采样电压,所述充电电压信号由所述充电器的输出端输出,所述电压检测引脚依次通过分压电路和变压模块与所述充电器的输出端耦接,其中所述分压电路包括第一电阻R1和第二电阻R2,所述分压电路位于所述变压模块的辅助线圈侧且所述充电器的输出端位于所述变压模块的副边线圈侧,所述变压模块的辅助线圈的匝数为Naux,副边线圈的匝数为Ns,所述监控采样电压与所述充电电压信号的线性关系为:
Vsense=Vchgt*Naux*R1/Ns/(R2+R1),
其中,Vsense为所述监控采样电压,Vchgt为所述充电电压信号;
其中,所述充电控制芯片根据所述监控采样电压获取所述充电电压信号的波形并根据所述波形调整所述充电器输出的充电电压和充电电流包括:所述充电控制芯片的实时波形分析器根据所述监控采样电压和所述线性关系,得到所述充电电压信号的波形和时序,然后由所述充电控制芯片的反馈输出引脚输出调节信号,控制所述充电器的反馈调节模块选择不同的分压组合从而使得所述变压模块的主线圈的第一端到第二端在经过所述反馈调节模块到地的通路上所述反馈调节模块上的分压不同。
2.根据权利要求1所述的充电控制方法,其特征在于,在所述充电器的输出端产生方波的充电电压信号的步骤包括:
所述待充电设备的电源管理单元控制所述充电电压信号周期性的在两个不同电压值之间切换,进而产生所述方波的充电电压信号。
3.根据权利要求2所述的充电控制方法,其特征在于,所述待充电设备的电源管理单元通过控制所述电源管理单元的充电控制管周期性的通断,进而控制所述充电电压信号周期性的在所述两个不同电压值之间切换。
4.根据权利要求3所述的充电控制方法,其特征在于,所述电源管理单元包括充电控制管、第三电阻R3以及第一控制单元,所述充电控制管为三极管Q1,所述三极管Q1的发射极连接所述待充电设备的充电输入端,所述三极管Q1的基极与第一控制单元连接,所述三极管Q1的集电极通过所述第三电阻R3与所述待充电设备的电池耦接,所述第一控制单元用于控制所述三极管Q1的导通与截止,在所述充电器与所述待充电设备连接时,所述充电输入端与所述充电器的输出端连接,所述三极管Q1导通时所述充电电压信号为:
Vchgt=VBAT+Ic*R3+Vce;
所述三极管Q1截止时所述充电电压信号为所述充电器空载时的输出电压,其中,VBAT为电池电压,Ic为所述三极管Q1的集电极电流,Vce为所述三极管Q1的集电极与发射极之间的电压。
5.根据权利要求3所述的充电控制方法,其特征在于,所述电源管理单元包括充电控制管、第四电阻R4、电感L以及第二控制单元,所述充电控制管为MOS管Q2,所述MOS管Q2的第一通路端连接所述待充电设备的充电输入端,所述MOS管Q2的第二通路端连接依次通过电感L和第四电阻R4与所述待充电设备的电池耦接,所述MOS管Q2的控制端连接所述第二控制单元,所述第二控制单元用于控制所述MOS管Q2的导通与截止,在所述充电器与所述待充电设备连接时,所述充电输入端与所述充电器的输出端连接,所述MOS管Q2导通时所述充电电压信号为:
Vchgt=VBAT+V1+V2+V3
其中,V1为MOS管Q2的第一通路端与第二通路端之间的电压,V2为第四电阻R4上的电压,V3为电感L两端电压,VBAT为电池电压;
所述MOS管Q2截止时,所述充电电压信号为所述充电器空载时的输出电压。
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