[发明专利]磁屏蔽装置以及磁屏蔽方法

权利要求书

1.一种磁屏蔽装置，其特征在于，具有：

无源屏蔽罩；

在所述无源屏蔽罩的内部被规定的修正对象空间；

对所述无源屏蔽罩内的磁场进行修正的第一线圈；

第一磁传感器；

与所述第一磁传感器相比更靠近所述无源屏蔽罩的内侧而配置的第二磁传感器；和

控制部，

所述第一磁传感器和所述第二磁传感器测量所述无源屏蔽罩内的磁场梯度，

所述控制部基于所述第一磁传感器和所述第二磁传感器的测量结果来控制所述第一线圈。

2.根据权利要求1所述的磁屏蔽装置，其特征在于，

所述控制部控制所述第一线圈以使所述磁场梯度成为阈值以下。

3.根据权利要求1或2所述的磁屏蔽装置，其特征在于，

所述第一磁传感器和所述第二磁传感器测量沿着第一方向的磁场梯度，

所述第一线圈的轴沿着所述第一方向。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁屏蔽装置，其特征在于，

所述无源屏蔽罩具有开口部，

在将所述开口部在所述第一方向上的坐标设为原点、将沿着所述第一方向从所述开口部朝向所述无源屏蔽罩的内部的方向设为所述第一方向的正方向时，所述第一磁传感器在所述第一方向上被配置在：所述开口部的与所述第一方向正交的投影截面的面积的平方根的-0.5倍至1.0倍的范围内。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁屏蔽装置，其特征在于，

所述第二磁传感器在所述第一方向上被配置在：所述开口部的与所述第一方向正交的投影截面的面积的平方根的0倍至1.0倍的范围内，

所述第二磁传感器在所述第一方向上的坐标比所述第一磁传感器在所述第一方向上的坐标大。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的磁屏蔽装置，其特征在于，

所述修正对象空间在所述第一方向上的坐标比所述第一磁传感器在所述第一方向上的坐标大。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的磁屏蔽装置，其特征在于，

在所述无源屏蔽罩的内部还具备对所述修正对象空间的磁场强度进行调整的第二线圈。

8.一种磁屏蔽方法，其特征在于，包括：

第一工序，测量无源屏蔽罩内的磁场梯度；

第二工序，基于所述第一工序而将所述磁场梯度设为给定阈值以下；

第三工序，测量所述无源屏蔽罩内的磁场强度；和

第四工序，将所述磁场强度设为给定阈值以下。