[发明专利]计算长寿命放射性核素的短半衰期子核岸边沉积外照射剂量的方法有效

专利信息
申请号: 201410455416.2 申请日: 2014-09-09
公开(公告)号: CN104268374B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 王晓亮;熊章辉;郑伟 申请(专利权)人: 中国核电工程有限公司
主分类号: G06F19/00 分类号: G06F19/00
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙)11311 代理人: 田明,任晓航
地址: 100840 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 计算 寿命 放射性 核素 半衰期 岸边 沉积 照射 剂量 方法
【权利要求书】:

1.一种计算长寿命放射性核素的短半衰期子核岸边沉积外照射剂量的方法,包括如下步骤:

(1)根据核设施液态流出物的排放源项,确定各核素的衰变链,判断是否有放射性子核,对于有放射性子核的长寿命核素—母核,给出其衰变常数λ以及子核的衰变常数λ,并给出子核的地表沉积外照射剂量转换因子DCF

(2)根据母核和子核的衰变常数关系,判断母核和子核能否建立平衡关系:当λ<<λ时,母核和子核在沉积地点建立长期平衡关系;当λ时,母核和子核建立过渡平衡;

(3)根据母核和子核所建立的平衡关系确定子核在沉积地点的放射性活度:当λ<<λ时,A≈A;当λ时,A≈A×K,其中,A为子核活度,A为母核活度,K=λ/(λ);

(4)在母核的沉积地点,根据母核的衰变规律以及其与子核的平衡关系确定子核的放射性活度的衰变规律:取子核的衰变常数与母核的衰变常数相同,λ≈λ

(5)根据以上步骤中确定的子核在沉积地点的放射性活度A、衰变常数λ以及子核的地表沉积外照射剂量转换因子DCF,计算在沉积地点的地表岸边沉积外照射剂量。

2.如权利要求1所述的计算长寿命放射性核素的短半衰期子核岸边沉积外照射剂量的方法,其特征在于:步骤(1)中所述的判断是否有放射性子核,是从放射性核素的衰变纲图获得。

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