[发明专利]一种高精度的压电陶瓷的驱动放大电路

权利要求书

1.一种高精度压电陶瓷的驱动放大电路，包括由PA95芯片组成的高压放大电路，其特征是，还包括与高压放大电路输入端连接的差分输入电路以及与高压放大电路输出端连接的电流放大电路，所述电流放大电路与电阻串联后实现对压电陶瓷的驱动；

所述的差分输入电路由差分对管Q1、晶体管Q2及晶体管Q3搭配电容电阻以及场效应管Q4和电阻R7组成；所述场效应管Q4和电阻R7作为差分输入电路的恒流源，场效应管Q4的栅极接负压电压源VS，场效应管Q4的源级串联电阻R7连接到负电压源VS上，场效应管Q4的漏极作为电流源输出端，差分对管Q1由分晶体管Q1_A和分晶体管Q1_B组成，所述分晶体管Q1_A和分晶体管Q1_B的发射极相连接并与恒流源的输出端相连，分晶体管Q1_A和分晶体管Q1_B的基极分别作为差分输入电路的同向输入端IN+和反向输入端IN-，分晶体管Q1_A和Q1_B的集电极分别连接晶体管Q2和晶体管Q3的发射极，所述晶体管Q2和晶体管Q3的基极相连接，晶体管Q2和晶体管Q3的集电极分别作为差分输入电路的反向和同向输出端。

2.根据权利要求1所述的一种高精度压电陶瓷的驱动放大电路，其特征在于，所述差分对管Q1、晶体管Q2及晶体管Q3搭配电容电阻的具体连接方式为：作为反向输出端的晶体管Q2的集电极依次串联电阻R4和电阻R1最终连接于正电压源VC，作为同向输出端的晶体管Q3的集电极依次串联电阻R5和电阻R2最终连接于正电压源VC，所述电阻R1与电阻R4的连接端与可变电阻R3的一端连接，可变电阻R3的另一端与电阻R2及电阻R5的连接端相连。

3.根据权利要求1所述的一种高精度压电陶瓷的驱动放大电路，其特征在于，所述差分输入电路中还包括静态工作点稳定电路，所述静态工作点稳定电路由电阻R6、稳压二极管D1、电容C1至电容C6组成，所述电阻R6一端与正电压源VC相连，另一端串联稳压二极管D1后与场效应管Q4的输出端连接，稳压二极管D1与电阻R6连接的一端作为稳定电压输出端并连接于三极管Q2和三极管Q3的基极，同时在D1的两端并联电容C5和电容C6，电容C1和C2的一端接在正低压电压源VC上，另外一端接地，电容C3和电容C4的一端接在负低压电压源VS上，另外一端接地。

4.根据权利要求1所述的一种高精度压电陶瓷的驱动放大电路，其特征在于，所述的电流放大电路采用电阻R9、稳压二极管D4、稳压二极管D5和电阻R12作为偏置电路，高压放大电路的输出端与稳压二极管D4的阳极及稳压二极管D5的阴极连接，稳压二极管D4的阴极串联可变电阻R9连接于正电压源VCC上，稳压二极管D5的阳极串联可变电阻R12连接于负电压源VSS上；电流放大电路以MOS管M1和MOS管M2作为核心，所述MOS管M1和MOS管M2的漏极分别接于正电压源VCC和负电压源VSS，栅极作为两个输入端串联电阻R10和电阻R11后接在分别接在稳压二极管D4的阴极及稳压二极管D5的阳极，MOS管M1和MOS管M2的源级相连并作为电流放大电路的输出端，所述电流放大电路的输出端串联电阻R13后用于驱动压电陶瓷。