[发明专利]以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板及其生产方法

权利要求书

1.以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板，其特征在于，以重量百分比计，其包括以下组分及含量：

SiO₂：47～65％；

Al₂O₃：0～5％；

CaO：11～26％；

MgO：0～2％；

K₂O：0～3％；

Na₂O：5～20％；

F：3～8％；

澄清剂：0.5～1％。

2.如权利要求1所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板，其特征在于，Al₂O₃的含量为3％。

3.如权利要求1所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板，其特征在于，CaO的含量为15％。

4.如权利要求1所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板，其特征在于，K₂O的含量为0.6％。

5.如权利要求1所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板，其特征在于，Na₂O的含量为9％。

6.如权利要求1所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板，其特征在于，SiO₂的含量为60.3％。

7.如权利要求1至6中任意一项所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板，其特征在于，所述澄清剂是氧化砷和硝酸钠。

8.如权利要求1所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板，其特征在于，所述微晶玻璃板的主晶相是氟硅钙钠石晶相。

9.生产如权利要求1所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、根据上述组分进行称量、配料、混合均匀，得到配合料；

步骤二、将所述配合料加入熔窑，由第一温度控制装置控制熔制温度为1400～1500℃，生成的均匀玻璃熔液经由流液洞、上升道、料道，进入压延机，由设置在压延机上的第二温度控制装置控制进出压延机的温度，进所述压延机的温度为1050～1150℃，出压延机的温度为850～950℃，形成厚度为3～35mm的玻璃板；

步骤三、将所述玻璃板经过过渡辊台进入到热处理辊道窑，在核化温度600～700℃下，核化60～150min；在强核化温度700～800℃下，强核化45～90min；在晶化温度800～900℃下，晶化30～60min；

步骤四、将得到的微晶玻璃板进行退火，再进行切割、粗抛、精抛，得到合格的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板建筑装饰材料。

10.如权利要求8所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板的生产方法，其特征在于，所述步骤二中，熔制温度为1470℃。

11.如权利要求8所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板的生产方法，其特征在于，所述步骤三中，核化温度为680℃，核化时间为100min。

12.如权利要求8所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板的生产方法，其特征在于，所述步骤三中，强核化温度为760℃，强核化时间为73min。

13.如权利要求9所述的以氟硅钙钠石为主要晶相的微晶玻璃板的生产方法，其特征在于，所述步骤三中，晶化温度为845℃，晶化时间为56min。