[发明专利]固体摄像装置在审
| 申请号: | 201410427710.2 | 申请日: | 2014-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN104935836A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
| 发明(设计)人: | 山冈宽明 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H04N5/341 | 分类号: | H04N5/341;H04N5/357;H04N5/3745 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅;杨谦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
1.一种固体摄像装置,其中,具备:
像素阵列部,沿行方向及列方向以矩阵状配置有蓄积进行了光电变换而得的电荷的像素;
列ADC电路,基于从所述像素读出的像素信号与基准电压之间的比较结果,按照每列计算所述像素信号的AD变换值;
垂直信号线,将从所述像素读出的像素信号按照所述每列向所述列ADC电路传送;以及
负载电路,通过与所述像素之间构成源极跟随器电路,来从所述像素向所述垂直信号线按照所述每列读出像素信号;
所述负载电路具备:
偏置电压产生部,沿所述行方向分散地配置,产生所述源极跟随器电路的偏置电压。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述负载电路按照所述每列具备作为恒流源进行动作的负载晶体管。
3.如权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
所述偏置电压产生部具备产生所述偏置电压的偏置晶体管。
4.如权利要求3所述的固体摄像装置,其中,
向所述负载晶体管传送所述偏置电压的偏置电压传送线被按照每个所述偏置电压产生部来分割。
5.如权利要求4所述的固体摄像装置,其中,
所述负载晶体管的栅极与所述偏置电压传送线连接,所述负载晶体管的漏极与所述垂直信号线连接,所述负载晶体管的源极与接地电位连接。
6.如权利要求5所述的固体摄像装置,其中,
所述偏置晶体管的栅极与所述偏置电压传送线连接,所述偏置晶体管的漏极经由电阻与电源电位连接,所述偏置晶体管的源极与接地电位连接。
7.如权利要求3所述的固体摄像装置,其中,
向所述负载晶体管传送所述偏置电压的偏置电压传送线在所述偏置电压产生部被共用化。
8.如权利要求7所述的固体摄像装置,其中,
所述负载晶体管的栅极与所述偏置电压传送线连接,所述负载晶体管的漏极与所述垂直信号线连接,所述负载晶体管的源极与接地电位连接。
9.如权利要求8所述的固体摄像装置,其中,
所述偏置晶体管的栅极与所述偏置电压传送线连接,所述偏置晶体管的漏极经由电阻与电源电位连接,所述偏置晶体管的源极与接地电位连接。
10.如权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述像素具备:
光电二极管,蓄积进行了光电变换而得的电荷;
行选择晶体管,沿行方向选择所述像素;
放大晶体管,检测从所述光电二极管读出的信号;
复位晶体管,将从所述光电二极管读出的信号复位;以及
读出晶体管,从所述光电二极管读出信号。
11.一种固体摄像装置,其中,具备:
像素阵列部,沿行方向及列方向以矩阵状配置有蓄积进行了光电变换而得的电荷的像素;
列ADC电路,基于从所述像素读出的像素信号与基准电压之间的比较结果,按照每列计算所述像素信号的AD变换值;
垂直信号线,将从所述像素读出的像素信号按照所述每列向所述列ADC电路传送;以及
负载电路,通过与所述像素之间构成源极跟随器电路,来从所述像素向所述垂直信号线按照所述每列读出像素信号,
所述负载电路具备:
第一偏置电压产生部,产生所述源极跟随器电路的偏置电压;以及
第二偏置电压产生部,产生所述源极跟随器电路的偏置电压。
12.如权利要求11所述的固体摄像装置,其中,
所述负载电路按照所述每列具备作为恒流源进行动作的负载晶体管。
13.如权利要求12所述的固体摄像装置,其中,
所述第一偏置电压产生部具备产生所述偏置电压的第一偏置晶体管,
所述第二偏置电压产生部具备产生所述偏置电压的第二偏置晶体管。
14.如权利要求13所述的固体摄像装置,其中,
具备:
第一偏置电压传送线,针对所述第一偏置电压产生部设置,向第一列的负载晶体管传送所述偏置电压;以及
第二偏置电压传送线,针对所述第二偏置电压产生部设置,向第二列的负载晶体管传送所述偏置电压。
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