[发明专利]固态成像器件、电子装置以及检查装置有效

专利信息
申请号: 201410389341.2 申请日: 2014-08-08
公开(公告)号: CN104378557B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 森田隆平 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N5/341 分类号: H04N5/341;H04N17/00;H01L27/148
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张晓明
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固态 成像 器件 电子 装置 以及 检查
【说明书】:

公开一种固态成像器件、电子装置以及检查装置。固态成像器件包括第一像素和第二像素。第一像素包括具有预定尺寸的开口的遮光部。第二像素包括在与第一像素的开口的位置不同的位置处具有预定尺寸的开口的遮光部。

相关申请交叉引用

本申请要求于2013年8月15日提交的日本优先权专利申请JP2013-168948的权益,通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及固态成像器件、电子装置以及检查装置,更具体地涉及能够更准确地测量特性的固态成像器件、电子装置以及检查装置。

背景技术

以往,已知如下固态成像器件:接收从被摄体体(subject)输入的光,对光实施光电转换,并且输出由作为光电转换结果得到的像素数据形成的图像。在固态成像器件中,光电转换单元对接收的光实施光电转换,通过光电转换得到的电荷由读出门读出,并且经由传送门传送到外部。

另外,提出了下面的固态成像器件:为了完整地将来自光电转换单元的电荷传送给读出门并且缩短到读出门的读取时间,例如,向光电转换单元注入杂质以提供在传送门方向上的倾斜电场(例如,参见日本专利第3120486号)。这种技术具体地在具有大像素尺寸的固态成像器件或者具有细长的像素形状的固态成像器件中有效。

发明内容

近年来,可用于固态成像器件的电压已经愈加降低,同时存在缩短读取时间的需求。因此,就光电转换单元的设计而言,使得整个电位变浅,同时越来越需要增加电位梯度以确保固态成像器件中的电场。

因而,位于光电转换单元中的读出门的对面的面向沟道阻断的区域的电位没有其他选择而是使其变浅。这样,靠近沟道阻断(channel stop)的光电转换单元的区域的电位与沟道阻断的电位之间的差异趋于小。

结果,在某些情况下,由于生产时间的变化等,靠近沟道阻断的光电转换单元的区域的电位变得与沟道阻断的电位基本相同。因此,在靠近沟道阻断的区域中容易出现灵敏度降低的现象。

在例如由于小像素面积而灵敏度降低的区域的面积与光电转换单元的整个面积相比相对大的情况下,存在灵敏度降低的现象的器件可以被在相关技术的生产线上采用的针对每个像素的灵敏度测量和灵敏度变化测量筛选出来的高可能性。

另一方面,在像素面积大但是器件被用于对灵敏度降低的区域的影响极为敏感的应用程序的情况下,存在假设为异常产品的器件未被相关技术中的针对每个像素的灵敏度测量和灵敏度变化测量筛选出来的高可能性。这是因为与由器件中的其他电路、提供给光电转换单元顶部的上层膜等的质量的变化造成的输出的变化相比,由于光电转换单元的面积的变化而引起的敏感度特性的变化相对很小。因此,难以由相关技术中的测量方法识别出灵敏度降低。

如果建立与要使用的应用程序相同的环境,则可以实现筛选。然而,在固态成像器件的实际生产线上实施这样的筛选是不现实的。

如上所述,难以通过上述技术高度准确地测量诸如固态成像器件的光电转换单元中的灵敏度这样的特性。

已经鉴于上述情况做出本公开,期望更准确地测量特性。

根据本公开的第一实施例,提供了一种固态成像器件,其包括第一像素和第二像素。所述第一像素包括具有预定尺寸的开口的遮光部。所述第二像素包括在与所述第一像素的开口的位置不同的位置处具有预定尺寸的开口的遮光部。

所述第一像素和所述第二像素可以包括测量所述固态成像器件的特性的像素。

所述第一像素和所述第二像素可以包括通过比较所述第一像素的输出信号和所述第二像素的输出信号测量所述固态成像器件的灵敏度特性的像素。

可以在所述固态成像器件的有效像素区域的外部提供所述第一像素和所述第二像素。

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