[发明专利]用于填充存储器的方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种用于填充存储器的方法及装置。

背景技术

在有关安全领域的集成电路芯片工作过程中，存储器中存有重要的安全数据，例如加解密过程的密钥，因此存储器便成为了安全芯片攻击者的重要攻击目标。

攻击者在攻击存储器时可能利用的一个威胁是存储器的数据保持能力，即易失性存储器在掉电后保存信息的能力，例如：保存在静态随机存储器(Static Random Access Memory，简称：SRAM)里的密钥可以在较长时间后的下次上电时恢复。另外一种可能攻击存储器的技术是使用低温来“冰冻”存储器的内容，例如：在低温条件下，掉电后的SRAM中的信息可以保存足够长的时间，攻击者可以访问存储器芯片并读出其内容。因此，如何保护存储器中曾经保存过的数据成为亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种用于填充存储器的方法及装置，用以实现保护存储器中曾经保存过的数据。

本发明提供一种用于填充存储器的装置，包括：

地址生成模块，用于生成地址并将所述地址发送给所述存储器的地址总线；

数据生成模块，用于接收第一数据，对所述第一数据进行处理，生成第二数据，将所述第二数据发送给所述存储器的数据总线；

控制信号生成模块，用于生成写控制信号，以便所述存储器根据所述写控制信号将所述第二数据写入所述地址；

控制模块，用于控制所述地址生成模块、所述数据生成模块和所述控制信号生成模块的工作；

其中，所述装置的工作状态包括第一工作状态和第二工作状态，在所述第一工作状态中，所述第一数据为外部输入的初始数据，在所述第二工作状态中，所述第一数据为反馈回来的第二数据。

本发明还提供一种用于填充存储器的方法，包括：

生成地址并将所述地址发送给所述存储器的地址总线；

接收第一数据，对所述第一数据进行处理，生成第二数据，将所述第二数据发送给所述存储器的数据总线；

生成写控制信号，以便所述存储器根据所述写控制信号将所述第二数据写入所述地址；

其中，所述方法的工作过程包括第一工作过程和第二工作过程，在所述第一工作过程中，所述第一数据为外部输入的初始数据，在所述第二工作过程中，所述第一数据为反馈回来的第二数据。

本发明在首次执行填充存储器的填充操作时，数据生成模块接收外部的初始数据得到第二数据并发送给数据总线，以便采用该第二数据填充存储器，在后续的执行对存储器填充操作时，数据生成模块根据反馈回来的第二数据生成新的第二数据并发送给数据总线，以便采用该新的第二数据填充存储器，这样每次填充存储器采用的数据均与上次不同，可以实现掩盖存储器中曾经保存过的数据的痕迹，同时可以避免在工作过程中一直从外部获取初始数据。

附图说明

图1为本发明的用于填充存储器的装置第一实施例的结构示意图；

图2为本发明的用于填充存储器的装置第一实施例的一个具体实例的结构示意图；

图3为本发明的用于填充存储器的装置第二实施例的结构示意图；

图4为本发明的用于填充存储器的装置第二实施例的一个具体实例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图和具体实施方式对本发明作进一步的描述。

如图1所示，为本发明的用于填充存储器的装置第一实施例的结构示意图，该装置可以包括：地址生成模块11、数据生成模块12、存储器控制信号生成模块13和控制模块14，控制模块14分别与地址生成模块11、数据生成模块12、存储器控制信号生成模块13相连。

在本实施例中，地址生成模块11用于生成地址并将地址发送给存储器的地址总线，可选地，所产生的地址可以覆盖存储器的全部或部分地址空间。数据生成模块12用于接收第一数据，对第一数据进行处理，生成第二数据，将第二数据发送给所述存储器的数据总线。控制信号生成模块13用于生成写控制信号，以便存储器根据写控制信号将第二数据写入地址生成模块11生成的地址。控制模块14用于控制地址生成模块11、数据生成模块12和控制信号生成模块13的工作，例如，告知地址生成模块11需要产生的地址的范围，告知控制信号生成模块13需要产生的控制信号的时序。

在本实施例中，装置的工作状态包括第一工作状态和第二工作状态，在第一工作状态中，第一数据为外部输入的初始数据，在第二工作状态中，第一数据为反馈回来的第二数据。