[发明专利]一种低反射率透明导电线路的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种透明导电线路的制备方法，特别是涉及一种低反射率透明导电线路的制备方法。

背景技术

对可见光透明的材料目前主要还是玻璃类材料，但是玻璃材料本身不具备有导电性能，而一种既透明又导电的材料对于电子设备来说是不可或缺的，比如用于屏幕上方的功能性涂层，用于电磁屏蔽的导电薄膜等。在市场上占有主导地位的透明导电材料是ITO玻璃，其是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用溅射、蒸发等多种方法镀上一层氧化铟锡(俗称ITO)膜加工制作成的。然而ITO材料本身资源有限，价格较高，同时虽然导电但电阻率并不理想，薄膜方阻在50Ω/□以上。对于制备需要承载一定电流的线路板或者大屏幕的触摸传感器，这样的阻值就限制了ITO玻璃的应用。

除了ITO玻璃，形成透明导电薄膜还可以利用微细结构的不透明金属条。实验表明，当金属线条的宽度小于10微米，间距大于100微米时，在正常屏幕工作距离上就无法很容易识别出其中的线条。当金属线条的宽度小于3微米，间距大于200微米时，其透过率已经能超过90％，优于大部分ITO的产品。一个典型的金属网格图案如图所示：其线宽为2.5微米。在宏观上则表现为透明的导电薄膜。

形成导电金属网格的方法很多，比如光刻刻蚀法，微米压印印刷法等。无论采取什么方法，金属浆料在固化后其本身还是会呈现金属色。当背景色为黑色的时候，有金属线条的地方因为具有较高的反射率而泛白，影响视觉对比度，从而对整体的外观产生较大的影响。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种低反射率透明导电线路的制备方法，用于解决现有技术中透明导电线路表面反光严重的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种低反射率透明导电线路的制备方法，其特征在于，包括步骤：

1)于透明基板上形成金属线路；

2)对所述金属线路表面进行黑化处理，以于所述金属线路表面形成用于消除反光的导电材料层。

作为本发明的低反射率透明导电线路的制备方法的一种优选方法，步骤1)所述金属线路的线宽不大于10微米，金属线之间的间距不小于100微米。

作为本发明的低反射率透明导电线路的制备方法的一种优选方法，所述金属线路的制作方法包括光刻刻蚀法及微米压印印刷法。

作为本发明的低反射率透明导电线路的制备方法的一种优选方法，所述金属线路呈相互独立分布或呈网络状互联分布。

作为本发明的低反射率透明导电线路的制备方法的一种优选方法，步骤2)采用电镀法于所述金属线路表面形成黑镍镀层，以实现对金属线路表面的黑化处理。

作为本发明的低反射率透明导电线路的制备方法的一种优选方法，电镀黑镍镀层所采用的电镀液为Ni-Zn合金镀液，所述黑镍镀层为Ni-Zn黑镍镀层。

作为本发明的低反射率透明导电线路的制备方法的一种优选方法，所述Ni-Zn合金镀液的配方为：硫酸镍90～120g/L，硫酸锌40～60g/L，硫酸铵20～30g/L，硫氰酸铵25～35g/L，硼酸25～35g/L。

作为本发明的低反射率透明导电线路的制备方法的一种优选方法，所述Ni-Zn黑镍镀层，以质量比计，包含以下组分：40～60％的镍、20～30％的锌、10～15％的硫、以及5～15％的有机物。

作为本发明的低反射率透明导电线路的制备方法的一种优选方法，所述Ni-Zn黑镍镀层包含黑色硫化镍，所述黑色硫化镍由镍离子与硫氰酸根在阴极上还原游离出的硫离子反应形成。

作为本发明的低反射率透明导电线路的制备方法的一种优选方法，电镀时采用的温度范围为20～40℃，PH值范围为4～6。

如上所述，本发明提供一种低反射率透明导电线路的制备方法，包括步骤：1)于透明基板上形成金属线路；2)对所述金属线路表面进行黑化处理，以于所述金属线路表面形成用于消除反光的导电材料层。本发明采取了表面层电镀的方法，通过化学反应使得本身具有金属光泽的微米级别的金属线降低金属光泽，从而降低了整体反射率，整体版面的反射率黑化前后由7-12％降低为2％-5％，改善了产品的外观。同时，电信号测量表明黑化后，接触电阻和导通电阻均无明显变化。此外，通过配方的优化，可以使得该黑化层具有一定的硬度，可以在一定程度上保护下层金属。

附图说明

图1显示为本发明的低反射率透明导电线路的制备方法的步骤流程示意图。

图2～图4显示为本发明的低反射率透明导电线路的制备方法中各步骤所呈现的结构示意图。

元件标号说明