[发明专利]基板处理设备

说明书

技术领域

在此公开的本发明涉及基板处理设备，尤其涉及用于在加热基板时处理基板表面的基板处理设备。

背景技术

通常，处理玻璃基板或晶片(wafer)具有各种生产工艺，例如光刻胶涂层工艺、产生工艺(developing process)、蚀刻工艺、灰化工艺等用于制造平板显示装置或半导体器件的工艺。

在各工艺中，使用化学溶液或去离子水的湿法清洗工艺和干燥残留在基板表面上的化学溶液或去离子水的干燥工艺，从而去除附着在基板的各种污染物。

目前，蚀刻工艺被执行，在该工艺中有使用在高温下的化学水溶液例如硫酸或磷酸用来选择地去除氮化硅(silicon nitride)和二氧化硅(silicon oxide)。

在使用具有的高温化学水溶液的基板处理设备中，应用和使用基板加热装置，用以加热基板从而提高蚀刻速度和均匀性(uniformity)。

然而，在现有的基板加热装置中，用于感应加热器温度的温度传感器采用不锈钢制造。因此，如果设定值低，基板的温度不会达到目标温度(例如大约200℃的温度)。而且，如果在第一工艺之后在温度传感器受热且没有被充分冷却的状态下执行第二工艺，由于温度传感器受热，因此基板的温度快速达到设定值(预设测量温度)，从而基板不会达到目标温度。另一方面，如果温度传感器的设定值高，传感器可能引起感应失败和故障。

发明内容

本发明提供一种基板处理设备，该设备能够均匀地加热基板。

本发明还提供一种基板处理设备，该设备能够最小化加热单元的污染物。

本发明还提供一种基板处理设备，该设备能够提高加热单元的效率。

本发明还提供一种基板处理设备，该设备能够加热基板到目标温度且不会使温度传感器过载。

本发明还提供一种基板处理设备，该设备除了能够阻断从热产生单元传递到温度传感器的热，还能阻断从外围结构传递到温度传感器的传导热(conductive heat)。

本发明还提供一种基板处理设备，该设备能够快速地降低温度传感器的温度。

本发明的特征不限于前文所述，本领域技术人员通过以下说明将清楚地理解在此没有描述的其它特征。

本发明实施例提供的基板处理设备，包括：处理容器，该处理容器具有开口的上部；基板加热单元，该基板加热单元在支撑基板时加热设置在所述处理容器中的基板；以及处理溶液供应单元，该处理溶液供应单元将处理溶液提供到设置在基板加热单元上的基板上，其中基板加热单元包括：可旋转的卡盘台(rotatable chuck stage)，在其上放置基板；旋转部件，其具有中空形状，该旋转部件被耦合到卡盘台以旋转该卡盘台；以及热产生部件，其设置在卡盘台中。

在一些实施例中，热产生部件可包括多个灯具，所述灯具灯被同心地布置在相对于所述卡盘台的中央具有彼此不同半径的环形中。

在其它实施例中，基板加热单元可进一步包括设置在热产生部件和卡盘台之间的反射板(reflection plate)，以将从热产生部件发出的热能反射到基板。

在其它实施例中，热产生部件可包括多个灯具，所述灯具被同心地布置在相对于所述卡盘台的中央具有彼此不同半径的环形中，以及基板加热单元可包括温度传感器组件，温度传感器组件设置在反射板上，以测量每个灯具的温度。

在其它实施例中，基板加热单元可进一步包括石英窗，用于保护在热产生部件上的灯具，其中所述石英窗具有由所述卡盘台支撑的边缘。

在其它实施例中，所述石英窗可以是透明的并可与所述卡盘台一起旋转。

在进一步实施例中，温度传感器组件包括：固定块，其中螺栓连接孔被限定(defined)为将温度传感器组件固定到反射板；薄的(slim)支撑板，其在一个方向上从固定块延伸，薄的支撑板与反射板空间分离；以及温度传感器元件，其中信号引线被连接到该温度传感器元件，该温度传感器元件设置在支撑板的下表面上。

在进一步实施例中，每个温度传感器组件可进一步包括薄的盖板，该薄的盖板被配置为围绕温度传感器元件并具有焊接的边缘，且固定到支撑板的下表面。

在进一步实施例中，每个温度传感器组件可进一步包括绝缘垫片，该绝缘垫片设置在固定块和反射板之间，以阻断从反射板传递的热。

在进一步实施例中，在每个温度传感器组件中，固定块、支撑板、以及盖板的每一个可包括镀金层(gold-plated layer)。