[发明专利]电阻式随机存取存储装置及其操作方法在审
申请号: | 201410372747.X | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN105321559A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 林孟弘;沈鼎瀛;吴伯伦 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;赵根喜 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 随机存取 存储 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种电阻式随机存取存储装置,包括:
多个电阻式随机存取记忆胞;以及
多个电流源,分别耦接于对应的位元线与对应的该多个电阻式随机存取记忆胞之间,在一形成期间分别提供该多个电阻式随机存取记忆胞一预设偏压电流,以均匀化每个该电阻式随机存取记忆胞的阻抗值,
其中该预设偏压电流为使该多个电阻式随机存取记忆胞均形成低电阻态所需的最小电流。
2.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储装置,其中每个该电阻式随机存取记忆胞包括:
一可变阻抗单元,耦接对应的电流源;以及
一开关单元,耦接该可变阻抗单元,在该形成期间受控于一控制电压而被导通。
3.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储装置,其中该开关单元为一晶体管,该晶体管的栅极耦接至一字元线,以接收该控制电压,该晶体管的漏极耦接该可变阻抗单元,该晶体管的源极耦接至一源极线。
4.如权利要求2所述的电阻式随机存取存储装置,其中该多个电流源在设定期间以向该多个电阻式随机存取记忆胞汲取电流的方式,将该可变阻抗单元设定为高阻抗状态。
5.一种电阻式随机存取存储装置的操作方法,该电阻式随机存取存储装置包括多个电阻式随机存取记忆胞,该电阻式随机存取存储装置的操作方法包括:
依据该多个电阻式随机存取记忆胞的制程差异设定一预设偏压电流,其中,检测使该多个电阻式随机存取记忆胞均形成低电阻态所需的最小电流以及将该最小电流设定为该预设偏压电流;以及
当进入一形成期间时,分别向该多个电阻式随机存取记忆胞提供该预设偏压电流,以均匀化每个该电阻式随机存取记忆胞的阻抗值。
6.如权利要求5所述的电阻式随机存取存储装置的操作方法,其中每个该电阻式随机存取记忆胞包括一可变阻抗单元以及一开关单元,其中该可变阻抗单元耦接该开关单元,该电阻式随机存取存储装置的操作方法还包括:
在该形成期间提供一控制电压至该开关单元以导通该开关单元。
7.如权利要求6所述的电阻式随机存取存储装置的操作方法,其中该开关单元为一晶体管,该晶体管的栅极耦接至一字元线,以接收该控制电压,该晶体管的漏极耦接该可变阻抗单元,该晶体管的源极耦接至一源极线。
8.如权利要求6所述的电阻式随机存取存储装置的操作方法,其中在设定期间以向该多个电阻式随机存取记忆胞汲取电流的方式,将该可变阻抗单元设定为高阻抗状态。
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