[发明专利]处理氯硅烷废液的方法和系统

权利要求书

1.一种处理氯硅烷废液的方法，所述氯硅烷废液含有三氯氢硅、四氯化硅、硅粉、聚合物和金属氯化物中的至少之一，其特征在于，所述方法包括：

(1)将所述氯硅烷废液进行蒸发处理，以便得到气态轻组分和蒸发后液，其中，所述气态轻组分含有三氯氢硅和四氯化硅，所述蒸发后液含有硅粉、聚合物和金属氯化物；

(2)将所述气态轻组分进行冷凝处理，以便得到液态轻组分；

(3)将所述液态轻组分进行精馏处理，以便得到塔顶气和塔釜液，其中，所述塔顶气含有三氯氢硅，所述塔釜液含有四氯化硅；

(4)采用硅粉和氢气对所述塔釜液进行冷氢化处理，以便得到三氯氢硅；以及

(5)采用石灰水对所述蒸发后液进行中和处理，以便得到渣液。

2.根据权利要求1所述的处理氯硅烷废液的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述蒸发处理是温度为85～95摄氏度和压力为0.15～0.25MPa的条件下进行的。

3.根据权利要求1所述的处理氯硅烷废液的方法，其特征在于，所述蒸发处理是在蒸发回收器中进行的，所述蒸发回收器包括：

本体，所述本体内限定出蒸发空间，适于对所述氯硅烷废液进行蒸发处理；

氯硅烷废液入口，所述氯硅烷废液入口设置于所述本体的顶部；

氮气入口，所述氮气入口设置于所述本体的顶部；

四氯化硅入口，所述四氯化硅入口设置在所述本体的顶部；

气态轻组分出口，所述气态轻组分出口设置在所述本体的顶部；

蒸汽进口，所述蒸汽进口设置于所述本体的侧壁上；

蒸汽出口，所述蒸汽出口设置于所述本体的底部；以及

蒸发后液出口，所述蒸发后液出口设置于所述本体的底部。

4.根据权利要求3所述的处理氯硅烷废液的方法，其特征在于，所述蒸发回收器中液面高度为30～75v％。

5.根据权利要求1所述的处理氯硅烷废液的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述液态轻组分的温度为30摄氏度。

6.根据权利要求1所述的处理氯硅烷废液的方法，其特征在于，步骤(3)中，所述精馏处理是在塔顶温度为55～58摄氏度和压力为0.23～0.28MPa条件下进行的。

7.根据权利要求1所述的处理氯硅烷废液的方法，其特征在于，步骤(5)中，所述石灰水的质量浓度为10％。

8.根据权利要求3所述的处理氯硅烷废液的方法，其特征在于，进一步包括在进行所述中和处理之前，预先向所述蒸发回收器中通入氮气和四氯化硅，以便将所述蒸发后液排出所述蒸发空间。

9.根据权利要求3所述的处理氯硅烷废液的方法，其特征在于，所述中和处理是在当所述蒸发回收器中液位低于30v％时进行的。

10.一种处理氯硅烷废液的系统，其特征在于，包括：

蒸发装置，所述蒸发装置适于将所述氯硅烷废液进行蒸发处理，以便得到气态轻组分和蒸发后液，其中，所述气态轻组分含有三氯氢硅、四氯化硅和金属氯化物，所述蒸发后液含有硅粉、金属氯化物和聚合物；

冷凝装置，所述冷凝装置与所述蒸发装置相连，且适于将所述气态轻组分进行冷凝处理，以便得到液态轻组分；

精馏装置，所述精馏装置与所述冷凝装置相连，且适于对所述液态轻组分进行精馏处理，以便得到塔顶气和塔釜液，其中，所述塔顶气含有三氯氢硅，所述塔釜液含有四氯化硅；

冷氢化装置，所述冷氢化装置与所述精馏装置相连，且适于采用硅粉和氢气对所述塔釜液进行冷氢化处理，以便得到三氯氢硅；以及

中和装置，所述中和装置与所述蒸发装置相连，且适于采用石灰水对所述蒸发后液进行中和处理，以便得到渣液。