[发明专利]软启动方法及电路

权利要求书

1.一种软启动方法,用于PWM控制器集成电路，所述PWM控制器具有电压反馈端，其特征在于：所述软启动方法的控制步骤如下，

在上电启机的输出电压上升阶段，供电电源提供一个很小的电流给软启动电容充电，同时，软启动电容上的电压小，使晶体管导通，从而限制电压反馈端电压的上升；

在软启动电容的端电压逐渐上升时，晶体管输出端的电压跟随软启动电容的端电压，以在输出电压上升时，使PWM控制器的占空比从零逐渐增加，且电压反馈端的电压逐渐上升。

2.根据权利要求1所述的软启动方法，其特征在于：所述晶体管选用PNP型三极管；所述晶体管输出端的电压跟随软启动电容的端电压，是三极管发射极的电压跟随软启动电容的端电压；所述软启动电路在输出电压达到稳态值后，PNP型三极管处于反偏截止状态，软启动电路不再起作用。

3.根据权利要求1所述的软启动方法，其特征在于：所述晶体管选用P沟道MOS管；所述晶体管输出端的电压跟随软启动电容的端电压，是P沟道MOS管的源极电压跟随软启动电容的端电压；所述软启动电路在输出电压达到稳态值后，P沟道MOS管处于反偏截止状态，软启动电路不再起作用。

4.根据权利要求2或3所述的软启动方法，其特征在于：所述软启动方法，还包括在电源断电时，由二极管迅速泄放软启动电容上的电荷，从而使开关电源在连续的快速开关机状态下，软启动电路也能正常工作。

5.根据权利要求1所述的软启动方法，其特征在于：所述晶体管采用P沟道MOS管和N沟道MOS管，所述P沟道MOS管由软启动电容控制导通，所述N沟道MOS管由使能信号控制逻辑控制，在N沟道MOS管关断时，软启动控制电路产生的微小电流对软启动电容进行充电；所述晶体管输出端的电压跟随软启动电容端电压，是P沟道MOS管的源极电压跟随软启动电容的端电压。

6.一种软启动电路,适用于带PWM控制器的开关电源电路，所述PWM控制器具有电压反馈端，其特征在于：所述软启动电路包括，

软启动单元，在上电启机的输出电压上升阶段，供电电源提供一个很小的电流给软启动电容充电，同时，软启动电容上的电压小，使晶体管导通，从而限制电压反馈端电压的上升；在软启动电容的端电压逐渐上升时，晶体管输出端的电压跟随软启动电容的端电压，以在输出电压上升时，使PWM控制器的占空比从零逐渐增加，且电压反馈端的电压逐渐上升。

7.根据权利要求6所述的软启动电路，其特征在于：

所述软启动单元，包括电源输入端、钳位端、地端、电阻、PNP型三极管和软启动电容，所述电源输入端经电阻分别与软启动电容的正极及PNP型三极管的基极连接，软启动电容的负极接地端，所述PNP型三极管的集电极接地端，PNP型三极管的发射极接钳位端；

所述软启动电路还包括泄放单元，所述泄放单元包括二极管，所述电源输入端经反接二极管与软启动电容的正极连接，即电源输入端与二极管的阴极连接，二极管的阳极与软启动电容的正极连接，用以在电源输入端断电后，由二极管迅速泄放软启动电容上的电荷。

8.根据权利要求6所述的软启动电路，其特征在于：

所述软启动单元，包括电源输入端、钳位端、地端、电阻、P沟道MOS管和软启动电容，所述电源输入端经电阻分别与软启动电容的正极及P沟道MOS管的栅极连接，软启动电容的负极接地端，P沟道MOS管的漏极接地端，P沟道MOS管的源极接钳位端；

所述软启动电路还包括泄放单元，所述泄放单元包括二极管，所述电源输入端经反接二极管与软启动电容的正极连接，即电源输入端与二极管的阴极连接，二极管的阳极与软启动电容的正极连接，用以在电源输入端断电后，由二极管迅速泄放软启动电容上的电荷。

9.根据权利要求6所述的软启动电路，其特征在于：

所述软启动单元，包括软启动端、钳位端、电流源、P沟道MOS管和N沟道MOS管，所述电流源分别与软启动端、N沟道MOS管的漏极及P沟道MOS管的栅极连接，N沟道MOS管的栅极与使能信号控制逻辑连接，N沟道MOS管的源极接地，P沟道MOS管的源极与电压反馈端连接，P沟道MOS管的漏极接地。

10.根据权利要求6所述的软启动电路，其特征在于：

所述软启动单元，包括软启动电流控制电路、使能信号控制逻辑、P沟道MOS管、N沟道MOS管和软启动电容，所述软启动电流控制电路分别与软启动电容的正极、N沟道MOS管的漏极及P沟道MOS管的栅极连接，软启动电容的负极接地；N沟道MOS管的栅极与使能信号控制逻辑连接，N沟道MOS管的源极接地；P沟道MOS管的源极与电压反馈端连接，P沟道MOS管的漏极接地。