[发明专利]阵列基板和显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和包含该阵列基板的显示面板。

背景技术

对于显示面板，开口率是一个很重要的设计参数，代表有效的透光区域与全部面积的比例，开口率越大，则显示面板的相对亮度越高，从而达到相同亮度的显示面板的功耗越低。

在传统的TN(Twisted Nematic)结构的显示面板当中，当扫描栅线时，薄膜晶体管(TFT)开启，从而为存储电容充电，并将存储电容充满，在其他时刻，存储电容放电，保持液晶电容的电场，从而使液晶电容之间的液晶维持旋转或者非旋转的状态。

例如在图1中，栅线1连接薄膜晶体管3的栅极，数据线2连接薄膜晶体管3的源极，像素电极4通过过孔连接薄膜晶体管3的漏极，存储电容形成在公共电极线5与像素电极4之间，公共电极线5平行于栅线1设置在阵列基板上。在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在以下问题：公共电极线的设置会占用一部分透过率，导致像素的开口率不能最大化提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板和显示面板，以提高像素开口率。

为解决上述技术问题，作为本发明的第一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括栅线和像素电极，所述阵列基板被划分为多个像素单元，所述像素电极包括位于所述像素单元外的第一存储电容部和位于所述像素单元内的第一液晶电容部，所述第一存储电容部与所述栅线在所述阵列基板的衬底基板上的正投影至少部分重叠。

优选地，所述第一存储电容部位于所述栅线上方。

优选地，所述栅线和所述第一存储电容部之间形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层与所述第一存储电容部相接触，并且使所述第一存储电容部距离所述衬底基板的高度大于所述第一液晶电容部距离所述衬底基板的高度。

作为本发明的第二个方面，还提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板和与该阵列基板对盒设置的对盒基板，所述阵列基板为本发明所提供的上述阵列基板，所述对盒基板上设置有公共电极，所述公共电极包括位于所述像素单元外的第二存储电容部和位于所述像素单元内的第二液晶电容部，所述第一液晶电容部与所述第二液晶电容部对应形成液晶电容，所述第一存储电容部与所述第二存储电容部对应形成存储电容。

优选地，所述第一存储电容部位于所述栅线上方。

优选地，所述栅线和所述第一存储电容部之间形成有第一绝缘层，所述第二存储电容部下方形成有第二绝缘层，所述阵列基板和所述对盒基板在所述第二绝缘层对应的位置互相接触。

优选地，所述第一存储电容部上方设置有取向层，所述第二绝缘层下方设置有取向层。

优选地，所述第二绝缘层为形成在所述第二存储电容部下方的隔垫物层。

优选地，所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层的材料为树脂。

优选地，所述存储电容与所述显示面板的黑矩阵在所述阵列基板的衬底基板上的正投影至少部分重叠。

本发明阵列基板不包含公共电极线，在对应于栅线的位置采用了以像素电极的部分区域和公共电极的部分区域为两极板形成的电容结构作为像素的存储电容，能够提高像素开口率，提高显示面板亮度，降低功耗，降低布线设计的难度。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。

图1是现有技术中阵列基板像素结构的平面示意图；

图2是依照本发明一种实施例的显示面板的剖面示意图；

图3是依照本发明一种实施例的阵列基板的平面示意图。

在附图中，1：栅线；2：数据线；3：薄膜晶体管；4、40：像素电极；401：第一存储电容部；402：第一液晶电容部；5：公共电极线；50：公共电极；501：第二存储电容部；502：第二液晶电容部；6：第一绝缘层；7：第二绝缘层；8：取向层；9：液晶；10：黑矩阵；11：彩色滤光层；12：钝化层。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

本发明实施例中提到的“上、下”方向均是指图2中箭头所标的方向，其中，“U”表示“上”方向，“D”表示“下”方向。