[发明专利]阵列基板及液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶技术领域，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

随着液晶显示技术的发展，越来越多的用户开始使用液晶显示装置进行社交娱乐活动。

现有的液晶显示装置的液晶显示面板均包括阵列基板(TFT基板)和彩膜基板(CF基板)。阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶层。阵列基板和彩膜基板的内侧涂布有PI(Polyimide，聚酰亚胺)导向膜，以使得液晶层中的液晶分子形成预倾角，加快液晶显示的响应速度。

在阵列基板上涂布PI导向膜时，PI导向膜的材料会向阵列基板的四周边缘扩散。由于阵列基板的边缘结构(外部走线区域)与内部显示区域的结构有所差异，造成PI导向膜的材料在阵列基板的边缘区域出现堆积现象，因此导致邻近的显示区域的PI导向膜的厚度也偏厚；当该液晶显示装置进行显示时，液晶显示面板的边缘部分(或阵列基板的边缘部分)容易出现漏光现象，影响了液晶显示装置的显示品质。

故，有必要提供一种阵列基板及液晶显示面板，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及液晶显示面板，以解决现有的液晶显示面板的阵列基板的边缘区域上的导向膜易出现堆积现象，从而导致液晶显示面板的边缘部分容易出现漏光现象的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种阵列基板，设置在相应的液晶显示面板中，其中所述阵列基板包括：

数据线，用于传输数据信号；

扫描线，用于传输扫描信号；

像素电极，用于接收所述数据信号；

薄膜场效应晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号发送至所述像素电极；

公共线，为网格状图案的金属线，用于传输公共信号，以及

导向膜，设置在所述阵列基板的表面，用于使得液晶分子形成预倾角；

其中所述数据线、所述扫描线、所述像素电极以及所述薄膜场效应晶体管设置在所述阵列基板的中间的显示区域；所述公共线设置在所述阵列基板的边缘的非显示区域；所述导向膜设置在所述阵列基板的所述显示区域和所述非显示区域。

在本发明所述的阵列基板中，所述公共线的宽度为400微米至600微米，所述公共线中的网格的宽度为4微米至10微米。

在本发明所述的阵列基板中，所述公共线的材料为金属铝。

在本发明所述的阵列基板中，所述公共线中的厚度为80纳米至120纳米。

在本发明所述的阵列基板中，所述导向膜的厚度为100纳米至200纳米。

本发明实施例还提供一种液晶显示面板，其包括：阵列基板、彩膜基板以及设置在所述阵列基板以及彩膜基板之间的液晶层；

其中所述阵列基板包括：

数据线，用于传输数据信号；

扫描线，用于传输扫描信号；

像素电极，用于接收所述数据信号；

薄膜场效应晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号发送至所述像素电极；

公共线，为网格状图案的金属线，用于传输公共信号，以及

导向膜，设置在所述阵列基板的表面，用于使得液晶分子形成预倾角；

其中所述数据线、所述扫描线、所述像素电极以及所述薄膜场效应晶体管设置在所述阵列基板的中间的显示区域；所述公共线设置在所述阵列基板的边缘的非显示区域；所述导向膜设置在所述阵列基板的所述显示区域和所述非显示区域。

在本发明所述的液晶显示面板中，所述公共线的宽度为400微米至600微米，所述公共线中的网格的宽度为4微米至10微米。

在本发明所述的液晶显示面板中，所述公共线的材料为金属铝。

在本发明所述的液晶显示面板中，所述公共线中的厚度为80纳米至120纳米。

在本发明所述的液晶显示面板中，所述导向膜的厚度为100纳米至200纳米。

相较于现有的阵列基板及液晶显示面板，本发明的阵列基板及液晶显示面板通过设置网格状图案的公共线，使得导向膜不易在阵列基板的边缘区域出现堆积现象；解决了现有的液晶显示面板的阵列基板的边缘区域上的导向膜易出现堆积现象，从而导致液晶显示面板的边缘部分容易出现漏光现象的技术问题。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1为现有的阵列基板的结构示意图；

图2为现有技术的阵列基板所在的液晶显示面板按图1的A-A’截面线的截面图；