[发明专利]低压电动汽车的功率集成装置

说明书

技术领域

本发明涉及电机驱动技术领域，特别涉及一种低压电动汽车的功率集成装置。

背景技术

随着能源和环境问题的日益突出，以低压电动汽车为代表的新能源电动汽车得到了人们的广泛关注。如果将低压电动汽车的电源供给装置称为低压电动汽车的功率集成装置，由于低压电动汽车的功率集成装置具有电压低、功率高等要求，导致低压电动汽车领域可供选择的功率集成装置较少：一方面选用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)元件或高功率的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化层半导体场效晶体管)元件的成本较高，另一方面选用单一的低功率的MOSFET又难以满足电动汽车的动力系统需求，因此，为了推动新能源电动汽车的发展，需要开发更多满足要求的低压电动汽车的功率集成装置。

目前所使用的低压电动汽车的功率集成装置主要由多个MOSFET元件通过复杂的连接关系构成。另外，目前所使用的低压电动汽车的功率集成装置一般未安装有相应的散热装置。

由于目前使用的低压电动汽车的功率集成装置装配复杂，导致现有的低压电动汽车的功率装置的成本较高，且由于现有的低压电动汽车的功率装置缺乏散热装置，使得低压电动汽车的功率装置的散热速度较慢，导致现有的低压电动汽车的功率集成装置损耗较大、使用率较低，因此，现有的低压电动汽车的功率装置仍然不能满足新能源电动汽车的发展需求。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种低压电动汽车的功率集成装置。

一方面提供了一种低压电动汽车的功率集成装置，所述装置包括一个铝基板，所述铝基板包括电路层、绝缘导热层和金属基层；

所述电路层至少包括贴装的MOSFET模块，所述MOSFET模块由三组驱动全桥组成，所述三组驱动全桥分别与驱动永磁电机的三相相连，每组驱动全桥由上桥臂和下桥臂组成，且每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂均由数量相同的MOSFET元件并联组成；

所述绝缘导热层内填充陶瓷聚合物，且置于所述电路层的下方；

所述金属基层置于所述绝缘导热层的下方。

结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述三组驱动全桥为W相驱动全桥、U相驱动全桥和V相驱动全桥，所述W相驱动全桥与驱动永磁电机的W相相连，所述U相驱动全桥与驱动永磁电机的U相相连，所述V相驱动全桥与驱动永磁电机的V相相连。

结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述组成每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂的MOSFET元件对峙排列。

结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述W相驱动全桥的下桥臂一端与第一B-裸露铜箔相连，另一端与W相裸露铜箔相连；所述W相驱动全桥的上桥臂一端与所述W相裸露铜箔相连，另一端与第一B+裸露铜箔相连；

所述V相驱动全桥的上桥臂一端与所述第一B+裸露铜箔相连，另一端与V相裸露铜箔相连；所述V相驱动全桥的下桥臂一端与所述V相裸露铜箔相连，另一端与第二B-裸露铜箔相连；

所述U相驱动全桥的下桥臂一端与所述第二B-裸露铜箔相连，另一端与U相裸露铜箔相连；所述U相驱动全桥的上桥臂一端所述U相裸露铜箔相连，另一端与第二B+裸露铜箔相连；

其中，所述第一B-裸露铜箔和所述第二B-裸露铜箔与电源负极相连，所述第一B+裸露铜箔和所述第二B+裸露铜箔与电源正极相连。

结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，构成W相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述第一B-裸露铜箔相连，构成W相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述W相裸露铜箔相连；

构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述W相裸露铜箔相连，构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述第一B+裸露铜箔相连。

结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，构成V相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述第一B+裸露铜箔相连，构成V相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述V相裸露铜箔相连；