[发明专利]低压电动汽车的功率集成装置

权利要求书

1.一种低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述装置包括一个铝基板，所述铝基板包括电路层、绝缘导热层和金属基层；

所述电路层至少包括贴装的金属-氧化层半导体场效晶体管MOSFET模块，所述MOSFET模块由三组驱动全桥组成，所述三组驱动全桥分别与驱动永磁电机的三相相连，每组驱动全桥由上桥臂和下桥臂组成，且每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂均由数量相同的MOSFET元件并联组成；

所述绝缘导热层内填充有陶瓷聚合物，且置于所述电路层的下方；

所述金属基层置于所述绝缘导热层的下方。

2.根据权利要求1所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述三组驱动全桥为W相驱动全桥、U相驱动全桥和V相驱动全桥，所述W相驱动全桥与驱动永磁电机的W相相连，所述U相驱动全桥与驱动永磁电机的U相相连，所述V相驱动全桥与驱动永磁电机的V相相连。

3.根据权利要求1或2所述的低压电动地车的功率集成装置，其特征在于，组成每组驱动全桥的上桥臂和下桥臂的MOSFET元件对峙排列。

4.根据权利要求2所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述W相驱动全桥的下桥臂一端与第一B-裸露铜箔相连，另一端与W相裸露铜箔相连；所述W相驱动全桥的上桥臂一端与所述W相裸露铜箔相连，另一端与第一B+裸露铜箔相连；

所述V相驱动全桥的上桥臂一端与所述第一B+裸露铜箔相连，另一端与V相裸露铜箔相连；所述V相驱动全桥的下桥臂一端与所述V相裸露铜箔相连，另一端与第二B-裸露铜箔相连；

所述U相驱动全桥的下桥臂一端与所述第二B-裸露铜箔相连，另一端与U相裸露铜箔相连；所述U相驱动全桥的上桥臂一端所述U相裸露铜箔相连，另一端与第二B+裸露铜箔相连；

其中，所述第一B-裸露铜箔和所述第二B-裸露铜箔与电源负极相连，所述第一B+裸露铜箔和所述第二B+裸露铜箔与电源正极相连。

5.根据权利要求4所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，构成W相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述第一B-裸露铜箔相连，构成W相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述W相裸露铜箔相连；

构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述W相裸露铜箔相连，构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述第一B+裸露铜箔相连。

6.根据权利要求4所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，构成V相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述第一B+裸露铜箔相连，构成V相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述V相裸露铜箔相连；

构成V相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述V相裸露铜箔相连，构成V相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述第二B-裸露铜箔相连。

7.根据权利要求4所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，构成U相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述第二B-裸露铜箔相连，构成U相驱动全桥的下桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述U相裸露铜箔相连；

构成U相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的源极并联后与所述U相裸露铜箔相连，构成W相驱动全桥的上桥臂的MOSFET元件的漏极并联后与所述第二B+裸露铜箔相连。

8.根据权利要求4所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述电路层还包括固定螺钉孔；

所述固定螺钉孔位于所述第一B-裸露铜箔、所述W相裸露铜箔、所述第一B+裸露铜箔、所述V相裸露铜箔、所述第二B-裸露铜箔、所述U相裸露铜箔和第二B+裸露铜箔的中间位置，且每个裸露铜箔上的固定螺钉孔的数量不少于一个。

9.根据权利要求1所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述电路层还包括一层铜箔、驱动信号连接端子和保护电路；

所述铜箔连接所述驱动信号连接端子、所述MOSFET模块的三组驱动全桥和所述保护电路。

10.根据权利要求1所述的低压电动汽车的功率集成装置，其特征在于，所述电路层还包括铝基板固定螺钉孔、防错孔和定位孔；

所述铝基板固定螺钉孔位于铝基板两侧，且所述铝基板固定螺钉孔的数量至少为一个；

所述防错孔位于电路层的边缘，且所述防错孔的数量至少为一个；

所述定位孔与金属基层的金属散热片定位捎对应，且所述定位孔的数量至少为一个。