[发明专利]一种光检测方法及电子设备

权利要求书

1.一种光检测方法，该方法应用于电子设备中，其特征在于，所述电子设备具有光子晶体层、感光层；所述光检测方法包括：

利用所述光子晶体层透射出第一光线的第一部分，以及反射出所述第一光线的第二部分；所述第一光线由所述第一部分和所述第二部分组成，所述第二部分的光波波长为第一波长；

利用所述感光层获取所述第一部分的光强值；

获取N次所述第一部分的光强值，并基于得到的N个光强值计算所述第一光线的基色光参数，N≥3。

2.根据权利要求1所述的光检测方法，其特征在于，所述光子晶体层受电压控制，通过调节所述光子晶体层的受控电压，能改变所述第一光线的第二部分的光波波长；相应地，

所述获取N次所述第一部分的光强值，并基于得到的N个光强值计算所述第一光线的基色光参数，包括：

调节N次光子晶体层的受控电压以改变所述光子晶体层透射出的第一部分以及第二部分；

利用所述感光层获取所述第一部分对应的N个光强值；

基于所述第一部分的N个光强值，计算所述第一光线的基色光参数。

3.根据权利要求2所述的光检测方法，其特征在于，所述电子设备的曝光时长为T1，当N＝3时，所述获取N次所述第一部分的光强值，包括：

在t1时刻，调节光子晶体层的受控电压为第一电压，并利用所述感光层获取所述第一部分的第一光强值；

在t2时刻，调节光子晶体层的受控电压为第二电压，并利用所述感光层获取所述第一部分的第二光强值；

在t3时刻，调节光子晶体层的受控电压为第三电压，并利用所述感光层获取所述第一部分的第三光强值；其中，

所述t3时刻晚于所述t2时刻，所述t2时刻晚于所述t1时刻，t3-t1≤T1。

4.根据权利要求2所述的光检测方法，其特征在于，所述电子设备还具有透镜、处理器；相应地，

所述利用所述光子晶体层透射出第一光线的第一部分之前，所述方法还包括：利用所述透镜对所述目标对象进行成像，得到所述目标对象的第一光线；

所述基于所述第一部分的N个光强值，计算所述第一光线的基色光参数，包括：

利用所述处理器基于所述第一部分的N个光强值，建立N组所述光强值与基色光参数之间的映射关系，并基于所述映射关系计算所述目标对象的基色光参数。

5.根据权利要求2所述的光检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

基于所述第一部分的N个光强值，确定所述第一光线的光谱；

基于所述第一光线的光谱，确定所述第一光线的色温。

6.根据权利要求5所述的光检测方法，其特征在于，电子设备还具有显示屏，所述光检测方法还包括：基于所述第一光线的色温，调节所述显示屏的显示参数以改变所述显示屏的色温。

7.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备具有光子晶体层、感光层；所述电子设备还包括：

第一处理单元，用于利用所述光子晶体层透射出第一光线的第一部分，以及反射出所述第一光线的第二部分；所述第一光线由所述第一部分和所述第二部分组成，所述第二部分的光波波长为第一波长；

获取单元，用于利用所述感光层获取所述第一部分的光强值；

第二处理单元，用于获取N次所述第一部分的光强值，并基于得到的N个光强值计算所述第一光线的基色光参数，N≥3。

8.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述光子晶体层受电压控制，通过调节所述光子晶体层的受控电压，能改变所述第一光线的第二部分的光波波长；相应地，所述第二处理单元包括：

第一调节子单元，用于调节N次光子晶体层的受控电压以改变所述光子晶体层透射出的第一部分以及第二部分；

获取子单元，用于利用所述感光层获取所述第一部分对应的N个光强值；

计算子单元，用于基于所述第一部分的N个光强值，计算所述第一光线的基色光参数。