[发明专利]生产半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于生产半导体器件的方法，所述方法包括：

提供附接至载体的半导体工件；

切割所述半导体工件和所述载体，以便形成至少一个独立的半导体芯片；

利用背离所述载体的一侧将所述至少一个半导体芯片安装至附加载体。

2.根据权利要求1的所述方法，进一步包括：

从所安装的所述至少一个半导体芯片去除所述载体。

3.根据权利要求1的所述方法，其中所述半导体工件包括半导体层和器件层。

4.根据权利要求3的所述方法，其中所述半导体层具有小于或者等于大约100μm的厚度。

5.根据权利要求3的所述方法，其中所述器件层是外延层。

6.根据权利要求5的所述方法，其中所述器件层包括碳化硅和氮化镓中的至少一个。

7.根据权利要求3的所述方法，其中所述半导体层通过智能剥离工艺形成。

8.根据权利要求1的所述方法，其中所述载体是基本上透明的。

9.根据权利要求1的所述方法，其中所述半导体工件具有小于或者等于大约100μm的厚度。

10.根据权利要求1的所述方法，其中所述附加载体是导电载体。

11.一种用于生产半导体器件的方法，所述方法包括：

提供布置在第一载体上的半导体层；

在所述半导体层上形成器件层；

形成一个或多个半导体器件，其中至少一个半导体器件形成在所述器件层上或者在所述器件层中；

应用第二载体至所述器件层；

去除所述第一载体；

在所述器件层的背离所述第二载体的一侧之上应用金属层；

切割所述金属层、所述器件层和所述第二载体，以便形成至少一个独立的半导体芯片；

将所述至少一个独立的半导体芯片安装在第三载体上；以及

从所安装的所述至少一个独立的半导体芯片去除所述第二载体。

12.根据权利要求11的所述方法，进一步包括在应用所述金属层之前去除所述半导体层。

13.根据权利要求11的所述方法，其中形成所述器件层包括在所述半导体层上形成外延层。

14.根据权利要求11的所述方法，其中所述半导体层通过智能剥离工艺形成在所述第一载体上。

15.根据权利要求11的所述方法，其中所述第二载体是基本上透明的。

16.一种方法，包括：

提供半导体结构，该结构包括：

半导体层；

外延层，形成在所述半导体层的正面上；

金属化层，形成在所述半导体层的背面上；

载体层，附接至所述外延层；

切割所述结构，以形成一个或多个独立的半导体芯片；

将所述独立的半导体芯片中的至少一个安装至引线框架；以及

从所安装的所述至少一个独立的半导体芯片去除所述载体层。

17.一种用于生产半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体工件，所述半导体工件具有附接至所述半导体工件的第一侧的载体并且具有应用至所述半导体工件的第二侧的金属层；

在所述金属层之上形成至少一个金属块；以及

在至少一个所述金属层和所述至少一个金属块之上形成包封层，以至少部分地包封所述至少一个金属块。

18.根据权利要求17的所述方法，进一步包括：

在形成所述包封层之后，从所述半导体工件去除所述载体。

19.根据权利要求17的所述方法，其中在至少一个所述金属层和所述至少一个金属块之上形成所述包封层包括，在所述金属层和所述至少一个金属块之上形成所述包封层，

所述方法进一步包括：

减薄所述包封层，以露出所述至少一个金属块。

20.根据权利要求19的所述方法，进一步包括：在减薄所述包封层之后，从所述半导体工件去除所述载体。

21.根据权利要求20的所述方法，其中所述包封层包括模制化合物。