[发明专利]一种单多晶非易失存储器的存储单元在审
| 申请号： | 201410347126.6 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104112474A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 尚靖;李建成;李聪;李文晓;王震;王宏义;谷晓忱;郑黎明;李浩 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学;湖南晟芯源微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 胡伟华 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 非易失 存储器 存储 单元 | ||
1.一种单多晶非易失存储器的存储单元，其特征在于：包括控制管、隧穿管、选择管和浮栅，控制管为一个MOS电容是隧穿管MOS电容10～15倍的PMOS管，用于将控制管上的电压耦合到浮栅上去，控制管的N阱与源极相连接，其栅极与浮栅相连；隧穿管为没有漏区或者源区，且栅极多晶部分覆盖在氧化隔离槽上的PMOS管，隧穿管的N阱与源极相连，隧穿管的栅极与浮栅相连；选择管为与控制管串联的PMOS管，选择管的源极与控制管的漏极相连，选择管的N阱与控制管的N阱、源极相连，选择管的栅极用于选择信号输入。
2.根据权利要求1所述的一种单多晶非易失存储器的存储单元，其特征在于：所述的隧穿管为没有漏极或者源极的PMOS管，其栅极多晶部分覆盖在氧化隔离槽上。
3.根据权利要求1所述的一种单多晶非易失存储器的存储单元，其特征在于：所述的控制管与选择管均驻留在第一个N阱中，隧穿管驻留在第二个N阱中。
4.根据权利要求1所述的一种单多晶非易失存储器的存储单元，其特征在于：所述的控制管与选择管的栅极均与浮栅相连，浮栅为被氧化绝缘层隔离的多晶硅结构。
5.根据权利要求1所述的一种单多晶非易失存储器的存储单元，其特征在于：所述的控制管、隧穿管、选择管均为厚栅极氧化层的PMOS管。
6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的一种单多晶非易失存储器的存储单元，其特征在于：所述单多晶非易失存储器的存储单元定义了四个端口:C、T、SEN和R；端口C为控制管的源极，控制管的源极和N阱相连，用于给控制管偏置编程时的高电压以及读取操作时偏置读电压，端口T为隧穿管的源极，隧穿管的源极和N阱相连，用于偏置隧穿管的电压，端口SEN为选择管的栅极，其控制读取操作时的存储单元选择，端口R为选择管的漏极，其用于将读取电流输出到位线上。
7.根据权利要求6所述的一种单多晶非易失存储器的存储单元，其特征在于：所述的单多晶非易失存储器的存储单元擦除与编程操作采用FN隧穿效应，需要在存储单元上施加高电压。
8.根据权利要求6所述的一种单多晶非易失存储器的存储单元，其特征在于：所述的单多晶非易失存储器的存储单元完全兼容标准CMOS工艺，能够嵌入到标准CMOS集成电路中去。
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