[发明专利]具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410346487.9 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104175680A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 程逵;孙俞;翁文剑;宋晨路;杜丕一;沈鸽;赵高凌;张溪文;徐刚;汪建勋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B32B33/00 | 分类号： | B32B33/00;B32B15/04;B32B17/06;B32B9/04;A61L27/40;A61L27/10;A61L27/02;A61L27/04;A61L27/06;C12N5/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 分级 纳米 结构 氧化 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜，其特征在于在基底上从下而上依次有二氧化钛纳米点层和光敏半导体纳米点层；二氧化钛纳米点层中二氧化钛纳米点的尺寸为30～300nm，密度为1.0×1010～1×1011/cm2；光敏半导体纳米点层中光敏半导体纳米点的尺寸为10～200nm，密度为1.0×109～1.0×1012/cm2。
2.根据权利要求1所述的具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜，其特征在于所述的基底为石英玻璃、硅片、钽片、钛片或钛镍合金片。
3.根据权利要求1所述的具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜，其特征在于所述的光敏半导体为氧化锌、氧化铁、氧化锆或氧化锡。
4.制备如权利要求1所述的具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜的方法，其特征在于步骤如下：
1）将钛源、络合剂和去离子水按摩尔比1:0.3:1的比例加入到无水乙醇中，然后加入聚乙烯吡咯烷酮在室温下充分搅拌，配制成钛原子浓度为0.1-0.5 M、聚乙烯吡咯烷酮浓度为10~100mg/ml的二氧化钛前驱体溶胶；将二氧化钛前驱体溶胶滴至清洗净的基底表面至其铺满，并以4000-8000rpm的速度旋涂20-60s，之后将其置于400-600℃下保温0.5-2h，在基底上得到二氧化钛纳米点层；
2）将光敏半导体源和络合剂按摩尔比1:0.5~2的比例加入到无水乙醇中，室温下充分搅拌，配制成光敏半导体源浓度为0.02-0.2M的光敏半导体前驱体溶胶；将光敏半导体前驱体溶胶滴至步骤1）制得的二氧化钛纳米点层上至其铺满，并以4000-8000rpm的速度旋涂20-60s，之后将其置于400-600℃下保温0.5-2h，在基底上得到具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜。
5.根据权利要求4所述的具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜的制备方法，其特征在于所述的络合剂为乙酰丙酮或乙醇胺。
6.根据权利要求4所述的具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜的制备方法，其特征在于所述的钛源为钛酸四丁酯、四氯化钛、三氯化钛、氟化钛或硫酸钛。
7.根据权利要求4所述的具有分级纳米点结构的二氧化钛基复合薄膜的制备方法，其特征在于所述的光敏半导体源选自硝酸锌、醋酸锌、硝酸铁、醋酸铁、硝酸锆或氯化锡。
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