[发明专利]CD-SEM装置的校正方法、应用CD-SEM装置的方法及CD-SEM装置有效
| 申请号: | 201410341944.5 | 申请日: | 2014-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN105336635B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
| 发明(设计)人: | 卢子轩;王跃刚 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cd sem 装置 校正 方法 应用 | ||
1.一种CD-SEM装置的校正方法,其特征在于,所述校正方法包括:
步骤S1、获取SEM图形并采用设置在所述CD-SEM装置内部的图形特征尺寸检测单元对所述SEM图形进行在线检测,以获取所述SEM图形的第一特征尺寸T1;
步骤S2、将所述SEM图形输出,采用设置在所述CD-SEM装置外部的图形特征尺寸检测装置对所述SEM图形进行脱线检测,以获取所述SEM图形的第二特征尺寸T2;
步骤S3、计算所述第一特征尺寸T1和所述第二特征尺寸T2之间的差值,获取偏差值;
步骤S4、对比所述偏差值与所述SEM图形的特征尺寸的允许误差范围,如果所述偏差值超出所述SEM图形的特征尺寸的允许误差范围,则调整所述CD-SEM装置各运行参数;以及
重复步骤S1到步骤S4至所述偏差值位于所述SEM图形的特征尺寸的允许误差范围内;所述在线检测采用图形特征尺寸多次测量方法,所述脱线检测采用图形特征尺寸单次测量方法;所述图形特征尺寸多次测量方法中,在所述SEM图形上选取至少2~10组测量组,每组测量组中包括距离相等的2个测量点,获取与各所述测量点相应的信号,对应地将一组所述测量组中2个测量点所对应的信号之间的距离作为该组测量组的测量值,并将各所述测量值的平均值作为第一特征尺寸T1。
2.根据权利要求1所述的校正方法,其特征在于,所述图形特征尺寸多次测量方法中,在所述SEM图形上选取间隔距离相同的测量点。
3.根据权利要求1所述的校正方法,其特征在于,所述图形特征尺寸单次测量方法中,在所述SEM图形上选取至少2~10组测量组,每组测量组中包括距离相等的2个测量点,获取与各所述测量点相应的信号,将各组所述测量组中相应位于第一侧的各测量点所对应的信号进行叠加,形成第一叠加信号,将各组所述测量组中相应位于与所述第一侧相对应的第二侧的各测量点所对应的信号进行叠加,形成第二叠加信号,并将所述第一叠加信号和所述第二叠加信号之间的距离作为第二特征尺寸T2。
4.根据权利要求3所述的校正方法,其特征在于,所述图形特征尺寸单次测量方法中,在所述SEM图形上选取间隔距离相同的测量点。
5.一种应用CD-SEM装置的方法,其特征在于,包括对CD-SEM装置进行校正的步骤,所述校正的步骤采用权利要求1至4中任一项所述的校正方法。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,对所述CD-SEM装置进行校正的步骤布置在以下时段:
在每次开机测量时对所述CD-SEM装置进行校正;和/或
每运行6~20h对所述CD-SEM装置进行校正;和/或
对所述CD-SEM装置进行实时校正。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





