[发明专利]一种显示面板及显示装置在审

专利信息
申请号: 201410341497.3 申请日: 2014-07-17
公开(公告)号: CN104133332A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 柴立 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示 面板 显示装置
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及显示装置。

【背景技术】

随着液晶面板行业的快速发展,面板的尺寸越做越大,导致显示器功耗增加,以及出现大视角色偏问题,因此显示器的设计对广视角、低能耗等要求也越来越高,使得TFT器件及像素设计多样化发展以应对大尺寸液晶显示器带来的问题。

为了解决大视角色偏的问题,如图1所示,现有技术需要增加一个薄膜晶体管,通过薄膜晶体管控制分享电容开启或者关闭。在主像素部的薄膜晶体管断开时,开启分享电容的薄膜晶体管,通过分享电容降低子像素部的液晶电容的电压,以解决大视角色偏问题,但是上述像素设计结构复杂,导致开口率降低、生产成本较高。

【发明内容】

本发明的一个目的在于提供一种显示面板,能够在不降低开口率的情况下,解决大视角色偏问题、从而提高观看效果、降低生产成本。

为解决上述技术问题,本发明构造了一种显示面板,所述显

示面板包括阵列基板;

所述阵列基板包括数据线、扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交错形成的多个像素单元;

所述像素单元包括:

主像素部,具有第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的第一栅极与所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极之间设置有第一绝缘层,所述第一源极和所述第一漏极通过半导体层连接;

子像素部,具有第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极之间设置有第二绝缘层,所述第二源极和所述第二漏极通过半导体层连接;

第二距离与第一距离不相等,其中所述第一距离为所述第一薄膜晶体管的第一栅极和所述第一薄膜晶体管的半导体层之间的第一绝缘层的厚度,所述第二距离为所述第二薄膜晶体管的第二栅极和所述第二薄膜晶体管的半导体层之间的第二绝缘层的厚度。

在本发明的显示面板中,所述第二距离大于所述第一距离。

在本发明的显示面板中,所述第一绝缘层是通过对所述第二绝缘层进行打薄处理形成的。

在本发明的显示面板中,所述第二距离小于所述第一距离。

在本发明的显示面板中,所述第二绝缘层是通过对所述第一绝缘层进行打薄处理形成的。

在本发明的显示面板中,所述第二距离与第一距离的比值范围为0.5-2。

本发明的另一个目的在于提供一种显示装置,所述显示装置包括:显示面板;

所述显示面板包括阵列基板;

所述阵列基板包括数据线、扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交错形成的多个像素单元;

所述像素单元包括:

主像素部,具有第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的第一栅极与所述第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极之间设置有第一绝缘层,所述第一源极和所述第一漏极通过半导体层连接;

子像素部,具有第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极之间设置有第二绝缘层,所述第二源极和所述第二漏极通过半导体层连接;

第二距离与第一距离不相等,其中所述第一距离为所述第一薄膜晶体管的第一栅极和所述第一薄膜晶体管的半导体层之间的第一绝缘层的厚度,所述第二距离为所述第二薄膜晶体管的第二栅极和所述第二薄膜晶体管的半导体层之间的第二绝缘层的厚度。

在本发明的显示装置中,所述第二距离大于所述第一距离。

在本发明的显示装置中,所述第二距离小于所述第一距离。

在本发明的显示装置中,所述第二距离与第一距离的比值范围为0.5-2。

本发明通过提供一种显示面板,通过将主像素部和子像素部的绝缘层设计为不同的厚度,使得主像素部的像素电极和子像素部的像素电极的充电效率不同,进一步使得主像素部所显示的像素的亮度和子像素部所显示的像素的亮度具有一定差异,从而降低大视角色偏、提高观看效果、降低生产成本。

【附图说明】

图1是现有技术中阵列基板的结构示意图;

图2是本发明实施例中第一实施例的阵列基板的结构示意图;

图3是图2中沿A-A’方向的剖面示意图;

图4是图2中沿B-B’方向的剖面示意图;

图5是本发明实施例中第二实施例的阵列基板的结构示意图;

图6是图5中沿A-A’方向的剖面示意图;

图7是图5中沿B-B’方向的剖面示意图。

【具体实施方式】

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