[发明专利]多晶系透明陶瓷基板的制造方法

权利要求书

1.一种多晶系透明陶瓷基材的制造方法，其特征在于其包括下列步骤：

提供配方材料，其中该配方材料是包括氧化铝粉末及粉末状烧结助剂；

形成浆料，其是将该配方材料与混和剂进行混合以形成该浆料；

成型生胚体，其是将该浆料制作成该生胚体；以及

形成多晶系透明陶瓷基材，其是依序执行进行烧除工艺、进行预烧工艺及进行烧成工艺等子步骤，将该生胚体制造成为该多晶系透明陶瓷基材。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中该氧化铝粉末的纯度为4N，且平均粒径不大于0.5微米。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于其中该粉末状烧结助剂为氧化镁粉末，其纯度为4N且平均粒径小于或等于0.5微米，又该氧化镁粉末与该氧化铝粉末的重量百分比为50ppm～3000ppm。

4.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于其中该粉末状烧结助剂为氧化镁粉末及氧化钛粉末的混合粉末，氧化镁粉末及氧化钛粉末的纯度为4N且平均粒径不大于0.5微米，又该氧化镁粉末及该氧化钛粉末加总的重量与该氧化铝粉末的重量的重量百分比为50ppm～3000ppm。

5.如权利要求1的制造方法，其特征在于其中该混和剂为粘结剂、分散剂、塑化剂或溶剂，或前述二种以上的混和物，且其中该粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛或压克力溶剂。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中该成型生胚体步骤是先以流延法成型技术将该浆料制作成至少一个生胚薄带，再对该生胚薄带进行裁切、堆栈、加温及加压以成型该生胚体，又其中的加温是将温度升温至摄氏50度～75度，加压是将压力升压至2000psi～10000psi。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中该预烧工艺是在大气炉中进行，并且该生胚体是置放于该大气炉中以氧化铝或氧化锆形成的透气承载治具上。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于其中该预烧工艺是将该大气炉中的温度升高至介于摄氏900度～1100度间的温度下进行。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中该烧成工艺是在具有氮氢混和气体的气氛炉中进行，并且该生胚体是置放于该气氛炉中以氮化硼、钨或钨合金形成的承载治具上。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于其中该烧成工艺是在压力为0.5atm～1000atm、氮氢混和气体比例H₂/N₂＝0～25wt％及将温度升高至介于摄氏1300度～2200度之下进行。

11.如权利要求1至10中的任一项所述的制造方法，其特征在于所制成的该多晶系透明陶瓷基材，其厚度是介于0.15毫米～1.5毫米之间。

12.如权利要求1至10中的任一项所述的制造方法，其特征在于所制成的该多晶系透明陶瓷基材经研磨抛光后的表面粗糙度是小于150奈米，且在厚度不大于0.2毫米时，其对可见光的透光率是为88％以上。

13.如权利要求1至13中的任一项所述的制造方法，其特征在于其所制成的该多晶系透明陶瓷基材，其内的晶粒的平均直径是介于15微米～100微米之间。