[发明专利]一种通过二次硫化调节铜锌锡硫薄膜元素配比的制备方法

权利要求书

1.一种通过二次硫化调节铜锌锡硫薄膜元素配比的制备方法，其特征在于采用铜锌锡硫单一靶材进行磁控溅射，其中磁控溅射条件为衬底温度500℃，溅射功率为60W，通入氩气前真空度为7×10^-4Pa；对溅射后的薄膜进行二次硫化热处理，将获得贫铜富锌的铜锌锡硫薄膜，其中所述的二次硫化热处理过程为先进行低温缓慢硫化热处理，再进行第二次高温快速硫化热处理，具体为快速升温至250℃，升温速率为5℃/s，再将温度缓慢升至380℃，升温速率为5℃/min，之后再快速将温度升至550℃，升温速率为5℃/s，保温10min，自然冷却。

2.根据权利要求1所述的一种通过二次硫化调节铜锌锡硫薄膜元素配比的制备方法，其特征在于Cu/(Zn+Sn)＝0.8,Zn/Sn＝1.2，铜锌锡硫薄膜为锌黄锡矿(Kesterite)结构。

3.根据权利要求1所述的一种通过二次硫化调节铜锌锡硫薄膜元素配比的制备方法，其特征在于通过对单一靶材磁控溅射的铜锌锡硫薄膜进行二次硫化能有效解决薄膜中锡过量的问题，二次硫化后的铜锌锡硫的光学带隙为1.52eV。