[发明专利]一种用于低电源电压的电流镜有效
申请号: | 201410315510.8 | 申请日: | 2014-07-03 |
公开(公告)号: | CN104090625A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 王卓;赵倬毅;石跃;董渊;柯普仁;周泽坤;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李玉兴 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 电源 电压 电流 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,具体的说是涉及一种电流镜。
背景技术
电流镜是模拟电路中一个重要的电路单元,它既可以作为偏置单元,也可以作为信号处理单元,在模拟电路和射频电路中被广泛应用。
图1是现有的一种电流镜电路示意图,由输入电流源Iin、输出电流源Iout和PMOS管MP1、MP2组成。其中,MP1管的栅极与漏极短接,这样MP1管的过驱动电压为:
VOV1=VSG1-|VTHP1|
而MP1管的源漏电压为:
VSD1=VSG1
其中|VTHP1|为PMOS管MP1的阈值电压的绝对值,VSG1为MP1管源极到栅极之间的电压。从上面两个式子可以看出VSD1比MP1管的过驱动电压VOV1大了一个PMOS管MP1的阈值电压的绝对值,这导致电压余度的减少,因此这种传统的电流镜电路不适合在低电源电压下工作。
发明内容
本发明的目的,就是针对上述传统电流镜电路不适合在低电源电压下工作的问题,提出了一种适用于低电源电压的电流镜。
本发明的技术方案是,一种用于低电源电压的电流镜,其特征在于,该电流镜由PMOS管MP1、MP2,NMOS管MN1,电容C1、C2,电阻R1,输入电流源,输出端电流源和偏置电流源构成;其中,MP1的源极接电源VCC,其栅极接MP2的栅极,其漏极接输入电流源的正极;输入电流源的负极接地VSS;MN1的漏极接电源VCC,其栅极接输入电流源的正极,其源极接偏置电流源的正极,其衬底通过R1接MP1栅极与MP2栅极的连接点;偏置电流源的负极接地VSS;MP1的源极与MN1的漏极的连接点依次通过C1、C2接MN1栅极与输入电流源正极的连接点;MP2的源极接电源VCC,其漏极接输出电流源的正极;输出电流源的负极接地VSS。
本发明的有益效果为,适合在低电源电压下使用;同时还提高了电流镜的PSR(对电源噪声的抑制)。
附图说明
图1是传统的电流镜结构示意图;
图2是本发明的电流镜结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式进行描述
如图2所示,本发明的电流镜,由PMOS管MP1、MP2,NMOS管MN1,电容C1、C2,电阻R1,输入电流源,输出端电流源和偏置电流源构成;其中,MP1的源极接电源VCC,其栅极接MP2的栅极,其漏极接输入电流源的正极;输入电流源的负极接地VSS;MN1的漏极接电源VCC,其栅极接输入电流源的正极,其源极接偏置电流源的正极,其衬底通过R1接MP1栅极与MP2栅极的连接点;偏置电流源的负极接地VSS;MP1的源极与MN1的漏极的连接点依次通过C1、C2接MN1栅极与输入电流源正极的连接点;MP2的源极接电源VCC,其漏极接输出电流源的正极;输出电流源的负极接地VSS。
与现有的电流镜相比,MP1管的栅极并没有短接到漏极,而是将MP1管的漏极电压经过一个由NMOS管MN1和偏置电流源Ib构成的源随放大器降低一个MN1管的栅源电压VGS1,然后串联一个大电阻,接至MP1管的栅极,源随放大器中的NMOS管MN1工作在亚阈区,MN1管的VGS1大约等于该NMOS管的阈值电压VTHN1,因为NMOS管的阈值电压VTHN1小于PMOS管MP1的阈值电压的绝对值|VTHP1|,因此可以使得MP1管仍然工作在饱和区,实现电流镜像原理。同时将MP1管的漏极电压提高了VTHN1,MP1管源极到漏极之间的电压减小了VTHN1。MP1管源极到漏极之间的电压为:
VSD(MP1)≈VSG(MP1)-VTHN1 (1)
式(1)中VSG(MP1)代表MP1管源极到栅极之间的电压。
这样电流镜节约了VTHN1的电压余度,使得电流镜特别适合在低电源电压下工作。
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