[发明专利]一种用于低电源电压的电流镜有效

专利信息
申请号: 201410315510.8 申请日: 2014-07-03
公开(公告)号: CN104090625A 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: 王卓;赵倬毅;石跃;董渊;柯普仁;周泽坤;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李玉兴
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 电源 电压 电流
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路技术领域,具体的说是涉及一种电流镜。

背景技术

电流镜是模拟电路中一个重要的电路单元,它既可以作为偏置单元,也可以作为信号处理单元,在模拟电路和射频电路中被广泛应用。

图1是现有的一种电流镜电路示意图,由输入电流源Iin、输出电流源Iout和PMOS管MP1、MP2组成。其中,MP1管的栅极与漏极短接,这样MP1管的过驱动电压为:

VOV1=VSG1-|VTHP1|

而MP1管的源漏电压为:

VSD1=VSG1

其中|VTHP1|为PMOS管MP1的阈值电压的绝对值,VSG1为MP1管源极到栅极之间的电压。从上面两个式子可以看出VSD1比MP1管的过驱动电压VOV1大了一个PMOS管MP1的阈值电压的绝对值,这导致电压余度的减少,因此这种传统的电流镜电路不适合在低电源电压下工作。

发明内容

本发明的目的,就是针对上述传统电流镜电路不适合在低电源电压下工作的问题,提出了一种适用于低电源电压的电流镜。

本发明的技术方案是,一种用于低电源电压的电流镜,其特征在于,该电流镜由PMOS管MP1、MP2,NMOS管MN1,电容C1、C2,电阻R1,输入电流源,输出端电流源和偏置电流源构成;其中,MP1的源极接电源VCC,其栅极接MP2的栅极,其漏极接输入电流源的正极;输入电流源的负极接地VSS;MN1的漏极接电源VCC,其栅极接输入电流源的正极,其源极接偏置电流源的正极,其衬底通过R1接MP1栅极与MP2栅极的连接点;偏置电流源的负极接地VSS;MP1的源极与MN1的漏极的连接点依次通过C1、C2接MN1栅极与输入电流源正极的连接点;MP2的源极接电源VCC,其漏极接输出电流源的正极;输出电流源的负极接地VSS。

本发明的有益效果为,适合在低电源电压下使用;同时还提高了电流镜的PSR(对电源噪声的抑制)。

附图说明

图1是传统的电流镜结构示意图;

图2是本发明的电流镜结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式进行描述

如图2所示,本发明的电流镜,由PMOS管MP1、MP2,NMOS管MN1,电容C1、C2,电阻R1,输入电流源,输出端电流源和偏置电流源构成;其中,MP1的源极接电源VCC,其栅极接MP2的栅极,其漏极接输入电流源的正极;输入电流源的负极接地VSS;MN1的漏极接电源VCC,其栅极接输入电流源的正极,其源极接偏置电流源的正极,其衬底通过R1接MP1栅极与MP2栅极的连接点;偏置电流源的负极接地VSS;MP1的源极与MN1的漏极的连接点依次通过C1、C2接MN1栅极与输入电流源正极的连接点;MP2的源极接电源VCC,其漏极接输出电流源的正极;输出电流源的负极接地VSS。

与现有的电流镜相比,MP1管的栅极并没有短接到漏极,而是将MP1管的漏极电压经过一个由NMOS管MN1和偏置电流源Ib构成的源随放大器降低一个MN1管的栅源电压VGS1,然后串联一个大电阻,接至MP1管的栅极,源随放大器中的NMOS管MN1工作在亚阈区,MN1管的VGS1大约等于该NMOS管的阈值电压VTHN1,因为NMOS管的阈值电压VTHN1小于PMOS管MP1的阈值电压的绝对值|VTHP1|,因此可以使得MP1管仍然工作在饱和区,实现电流镜像原理。同时将MP1管的漏极电压提高了VTHN1,MP1管源极到漏极之间的电压减小了VTHN1。MP1管源极到漏极之间的电压为:

VSD(MP1)≈VSG(MP1)-VTHN1   (1)

式(1)中VSG(MP1)代表MP1管源极到栅极之间的电压。

这样电流镜节约了VTHN1的电压余度,使得电流镜特别适合在低电源电压下工作。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410315510.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top