[发明专利]磁记录介质和磁存储装置有效
申请号: | 201410312115.4 | 申请日: | 2014-07-02 |
公开(公告)号: | CN104282318B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 神边哲也;丹羽和也;村上雄二;张磊 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B5/73 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 存储 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种磁记录介质和磁存储装置。
背景技术
近年,对硬盘驱动器HDD的大容量化的要求日益提高。作为满足该要求的手段,已经提出了热辅助记录方式和高频辅助记录方式。
热辅助记录是指采用安装了激光光源的磁头对磁记录介质进行加热并进行记录的方式。另一方面,高频辅助记录是指进行从安装了STO(Spin·Torque·Oscillator)的磁头所发生的高频磁场的施加并进行记录的方式。
在热辅助记录和高频辅助记录中,因为藉由热或高频可对反转磁场进行大幅度的降低,所以可在记录介质的磁性层中使用磁晶异方性常数Ku较高的材料。为此,可在维持热稳定性的同时进行磁性粒径的微细化,并可实现1Tbit/inch2级别的面密度。
作为高Ku磁性材料,提出了L10型FePt合金、L10型CoPt合金、L11型CoPt合金等的有序合金等。
另外,在磁性层中,为了对由上述有序合金所组成的结晶粒进行隔离(isolate),还添加了作为粒界相材料(grain boundary phase material)的SiO2、TiO2等的氧化物或C、BN等。藉由构成为在粒界相被分离的磁性结晶粒的粒状结构,与没有包含粒界相材料的情况相比,可降低磁性颗粒间的交换结合(耦合),并可实现较高的介质SN比(Signal-to-Noise ratio),这是熟知的。
另一方面,藉由形成软磁性底层(软磁性衬里层)可改善写入特性和重写特性,这也是熟知的。
作为软磁性底层,例如,专利文献1中公开了使用FeCoTaZr非结晶合金。另外,专利文献2、3中公开了使用NiFe、CoF合金等的结晶质结构的软磁性底层和FeTaC合金等的微结晶结构的软磁性底层。在磁性层中使用L10型FePt合金的高Ku介质的情况下,为了对L10型结晶结构的有序度进行改善,一般要进行500℃以上的基板加热。为此,在软磁性底层中使用了即使在500℃以上加热的情况下软磁气特性也不会恶化的材料。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]特开2009-158053号公报
[专利文献2]特开2010-182386号公报
[专利文献3]特开2011-146089号公报
发明内容
[发明要解决的课题]
然而,近年,需要进一步提高磁记录介质的介质SN比和重写特性的呼声越来越高,因此,仅采用向磁性层添加粒界相材料的方法或上述专利文献所开示的设置软磁性底层的方法等,已经不能满足所要求的性能。
本发明是鉴于上述现有技术中的问题而提出的,其目的在于,提供一种介质SN比较高、重写特性较好的磁记录介质。
[用于解决课题的手段]
本发明的实施例所提供的磁记录介质的特征在于,具有:
基板;
磁性层,包含具有L10结构的合金;及
多个底层,配置在所述基板和所述磁性层之间,
其中,
所述多个底层中的至少1层是软磁性底层,其由(11·0)面被排列(oriented)为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方(hexagonal close-packed)结构的合金所构成。
[发明的效果]
根据本发明的实施例,可提供一种介质SN比较高、重写特性较好的磁记录介质。
附图说明
[图1]本发明第2实施方式的磁气记录装置的结构图。
[图2]本发明第2实施方式的磁头的结构图。
[图3]实验例1所制作的磁记录介质的层结构的截面图。
[图4]实验例2所制作的磁记录介质的层结构的截面图。
[符号说明]
100磁存储装置
101,212磁记录介质
301,401玻璃基板
304,406软磁性底层
308,409磁性层
具体实施方式
以下,对本发明的实施方式进行说明,然而,本发明并不限定于下述实施方式,只要不脱离本发明的技术范围,可对下述实施方式进行各种各样的变形和置换。
[第1实施方式]
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