[发明专利]有源滤波器低开关损耗补偿电流调制方法

权利要求书

1.有源滤波器低开关损耗电路结构，包括IGBT三相逆变桥、MOSFET三相逆变桥和电容，其特征在于IGBT三相逆变桥包括第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第五IGBT、第六IGBT，MOSFET三相逆变桥包括第一MOSFET、第二MOSFET、第三 MOSFET、第四MOSFET、第五MOSFET、第六MOSFET，其结构要点第一IGBT集电极、第二IGBT集电极、第三IGBT集电极、第一MOSFET漏极、第二MOSFET漏极、第三 MOSFET漏极、电容一端相连，第四IGBT发射极、第五IGBT发射极、第六IGBT发射极、第四MOSFET源极、第五MOSFET源极、第六MOSFET源极、电容另一端相连；第一IGBT发射极、第四IGBT集电极、第一电感一端相连，第二IGBT发射极、第五IGBT集电极、第二电感一端相连，第三IGBT发射极、第六IGBT集电极、第三电感一端相连，第一电感另一端与交流电压源Usa一端相连，第二电感另一端与交流电压源Usb一端相连，第三电感另一端与交流电压源Usc一端相连，电压源Usa另一端、电压源Usb另一端、电压源Usc另一端相连接地；

所述第一MOSFET源极、第四MOSFET漏极、第四电感一端相连，第二MOSFET源极、第五MOSFET漏极、第五电感一端相连，第三MOSFET源极、第六MOSFET漏极、第六电感一端相连，第四电感另一端与A相谐波源相连，第五电感另一端与B相谐波源相连，第六电感另一端与C相谐波源相连。

2.根据权利要求1所述有源滤波器低开关损耗电路结构，其特征在于所述第一IGBT集电极与第一二极管阴极相连，第一二极管阳极与第一IGBT发射极相连；第二IGBT集电极与第二二极管阴极相连，第二二极管阳极与第二IGBT发射极相连；第三IGBT集电极与第三二极管阴极相连，第三二极管阳极与第三IGBT发射极相连；第四IGBT集电极与第四二极管阴极相连，第四二极管阳极与第四IGBT发射极相连；第五IGBT集电极与第五二极管阴极相连，第五二极管阳极与第五IGBT发射极相连；第六IGBT集电极与第六二极管阴极相连，第六二极管阳极与第六IGBT发射极相连。

3.有源滤波器低开关损耗补偿电流调制方法，其特征在于包括以下步骤：

1）以A相作为被钳制相，计算调制电压信号，采用以下公式：

u₀=sign(u_a)*(Vdc/2)-u_a

u^**_a = u^*_a + u₀

u^**_b = u^*_b + u₀

 u^**_c = u^*_c + u₀                

V_dc为有源滤波器直流母线电压，u_a为A相电压，u^*_a、u^*_b、u^*_c为有源滤波器的三相参考电压调制信号；sign(u_a)为判断u_a符号操作，若u_a为正，则sign(u_a)为1，若u_a为负，则sign(u_a)为-1；u^**_a、u^**_b 、u^**_c 为最终对输出补偿电流波形进行调制的三相电压调制信号；

2）钳制相选取：

A相电压30°～150°、210°～270°区间内设置为钳制相，比较30°～150°区间内AB两相电流瞬时值大小，若A相瞬时电流绝对值大于B相，则钳制A相电压，使A相在该区间内开关管不动作；反之钳制B相电压；

比较210°～270°区间内AC两相电流瞬时值大小，若A相瞬时电流绝对值大于C相，则钳制A相电压，反之钳制C相电压。