[发明专利]具有带类金刚石碳涂层的密封件的过程压力变送器在审
申请号: | 201410306576.0 | 申请日: | 2014-06-30 |
公开(公告)号: | CN105203252A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 张小昂;文森特·克雷恩 | 申请(专利权)人: | 罗斯蒙特公司 |
主分类号: | G01L9/12 | 分类号: | G01L9/12;G01L19/00;H04L29/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘晓峰 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 金刚石 涂层 密封件 过程 压力变送器 | ||
1.一种过程压力变送器系统,包括:
过程压力变送器壳体;
过程压力传感器,所述过程压力传感器在过程压力变送器壳体中;
凸缘面,所示凸缘面在过程压力变送器壳体中;
隔离膜片,所述隔离膜片在凸缘面上;
第一毛细管通道,所述第一毛细管通道将第一填充流体从隔离膜片运送到过程压力传感器;
过程密封膜片,所述过程密封膜片构造成耦合到工业过程的过程流体;
第二毛细管通道,所述第二毛细管通道将第二填充流体从过程密封膜片运送到隔离膜片;和
类金刚石碳(DLC)涂层,所述类金刚石碳(DLC)涂层涂覆过程密封膜片。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述类金刚石碳包括ta-C。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述类金刚石碳包括a-C:H。
4.根据权利要求1所述的系统,包括在DLC涂层和过程密封膜片之间的中间层。
5.根据权利要求4所述的系统,其中所述中间层包括钛。
6.根据权利要求4所述的系统,其中所述中间层包括钽。
7.根据权利要求4所述的系统,其中所述中间层包括铬。
8.根据权利要求4所述的系统,其中所述中间层包括陶瓷。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的外表面。
10.根据权利要求1所述的系统,其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的内表面。
11.根据权利要求1所述的系统,其中所述过程密封膜片被携带在远程密封件中并且所述DLC涂层在远程密封件的表面上延伸。
12.一种将过程压力变送器耦合到工业过程流体的压力的方法,包括:
将类金刚石碳(DLC)涂层施加到过程密封膜片;
放置过程密封膜片以与工业过程流体接触;
将从工业过程流体施加到过程密封膜片的压力通过毛细管通道耦合到隔离膜片;
使用第二毛细管通道将施加到隔离膜片的压力耦合到压力传感器;以及
使用压力传感器测量过程压力。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述类金刚石碳包括ta-C。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述类金刚石碳包括a-C:H。
15.根据权利要求12所述的方法,包括将中间层施加在DLC涂层和过程密封膜片之间。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述中间层包括钛。
17.根据权利要求15所述的方法,其中所述中间层包括钽。
18.根据权利要求15所述的方法,其中所述中间层包括铬。
19.根据权利要求15所述的方法,其中所述中间层包括陶瓷。
20.根据权利要求12所述的方法,其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的外表面。
21.根据权利要求12所述的方法,其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的内表面。
22.一种将过程压力变送器耦合到过程流体的远程密封件,包括:过程密封膜片,所述过程密封膜片构造成耦合到工业过程的过程流体;
毛细管通道,所述毛细管通道将填充流体从过程密封膜片运送到远端;和
类金刚石碳(DLC)涂层,所述类金刚石碳(DLC)涂层涂覆过程密封膜片。
23.根据权利要求22所述的远程密封件,其中所述类金刚石碳包括ta-C。
24.根据权利要求22所述的远程密封件,包括在DLC涂层和过程密封膜片之间的中间层。
25.根据权利要求24所述的远程密封件,其中所述中间层包括钛。
26.根据权利要求22所述的远程密封件,其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的外表面。
27.根据权利要求22所述的远程密封件,其中所述DLC涂层被施加到过程密封膜片的内表面。
28.根据权利要求22所述的远程密封件,其中所述DLC涂层在远程密封件的表面上延伸。
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