[发明专利]提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法有效
| 申请号： | 201410304879.9 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104072206A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 杨成刚;刘学林;苏贵东;张玉刚;沈金晶 | 申请（专利权）人： | 贵州振华风光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/88 | 分类号： | C04B41/88;C04B41/89 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 氮化 陶瓷 基片厚膜 附着力 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法，其特征包括：
（1）在高真空环境中，对氮化铝陶瓷基片进行加热烘烤，利用加热和抽真空同步进行的办法，将水汽完全挥发和抽掉；
（2）然后在高真空环境下，采用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺，在磁控溅射真空镀膜设备或电子束蒸发真空镀膜设备中，直接在氮化铝陶瓷基片的正面利用金属掩模选择性地形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜，在氮化铝陶瓷基片的背面整体形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜；
（3）再在已溅射或蒸发复合金属薄膜的氮化铝陶瓷基片正面进行厚膜导带、厚膜阻带的丝网印刷、烧结和调阻，进行常规混合集成，即得到提高了基片与管基底座之间附着力的氮化铝陶瓷基片。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于第（1）步中，所述高真空环境的真空度在1.0×10-4Pa以上；所述加热烘烤的加热方式是真空镀膜设备自带的加热装置，加热温度控制在200℃～400℃。
3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于第（2）步中，所述高真空环境的真空度在1.0×10-4Pa以上；所述耐高温、高熔点复合金属薄膜是熔点在1000℃以上的多层复合金属薄膜。
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