[发明专利]一种聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线，其特征在于，所述聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线有三层结构，第一层为光滑、均一的银纳米线，直径为20-30纳米；第二层为紧密包裹在银纳米线表面的氯化银小颗粒；第三层为在银@氯化银核壳结构纳米线表面电沉积的聚吡咯。

2.权利要求1所述的聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)银纳米线的制备

将聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液加热至150-160℃，5-10min后，向其中加入硝酸盐的乙二醇溶液，随后加入0.25-0.1M的NaCl溶液，150-160℃反应10-20min，整个过程都需要搅拌，得到产物先用丙酮离心清洗3次，再用蒸馏水离心清洗3次，得到银纳米线；(2)银@氯化银纳米线的制备

将步骤(1)制备的银纳米线加入到0.05-0.15M的NaCl溶液，，然后将稀盐酸处理过的铁片浸入其中，反应在20-35℃下放置30-75h后取出铁片，产物用乙醇、蒸馏水分别离心清洗3次，得到银@氯化银纳米线；

(3)聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线的制备

将银@氯化银纳米线修饰的玻碳电极上包裹聚吡咯薄膜作为参比电极，与铂辅助电极和银@氯化银纳米线修饰的玻碳电极组成的三电极系统，在10-15mM吡咯和0.1-0.15M NaClO₄溶液中利用循环伏安法，电压范围从-0.6V到0.8V，扫速为0.05-0.1V/s，做2-20个循环，制得聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线，得到的电极称为聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线修饰电极。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液中，聚乙烯吡咯烷酮的质量浓度为0.005-0.01g/mL。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述硝酸盐的乙二醇溶液中，硝酸银的浓度为0.2-0.3mol/L。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇溶液、硝酸盐的乙二醇溶液与NaCl溶液的体积比为100-200:10-25:1-5。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中银纳米线在NaCl溶液的浓度1.0-1.5mol/L。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述银@氯化银纳米线修饰的玻碳电极制备方法为：玻碳电极超声清洗洁净后在室温下干燥，将步骤(2)制备的银@氯化银纳米线溶解在N,N-二甲基甲酰胺中，银@氯化银纳米线在N,N-二甲基甲酰胺的浓度5-10M，超声分散10分钟后用微升注射器吸取10微升溶液滴到玻碳电极上，干燥后得到银@氯化银纳米线修饰的玻碳电极，为银@氯化银材料电极。

8.一种权利要求1所述的聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线的应用，其特征在于，在光电化学传感器方面的应用。