[发明专利]一种大功率曲面LED散热基板及其封装方法

权利要求书

1.一种大功率曲面LED散热基板，其特征在于设有基底，在基底上表面设有SiO₂绝缘层，在SiO₂绝缘层上设有电路层，LED芯片固定于基板上，电路层通过金线与LED芯片相连，再由经过固化的荧光粉和胶的混合物包裹；基底下表面通过导热胶粘贴于金属散热片上。

2.如权利要求1所述一种大功率曲面LED散热基板的封装方法，其特征在于包括以下步骤：

1)硅氧碳薄膜的制备：将PCS纺成原膜，对原膜进行不熔化预处理，将预处理过的原膜进行高温烧结成硅氧碳薄膜；

2)LED散热基板绝缘层的制备：对烧结成的硅氧碳薄膜进行表面热处理，在薄膜表面形成SiO₂绝缘层；

3)LED散热基板导电层的制备：在SiO₂绝缘层表面设置导电层，制得大功率曲面LED散热基板；

4)LED封装：使用步骤3)制得的大功率曲面LED散热基板，将LED封装为曲面LED灯具。

3.如权利要求2所述一种大功率曲面LED散热基板的封装方法，其特征在于在步骤1)中，所述硅氧碳薄膜的制备采用碳化硅薄膜成型装置，将脱泡处理后的PCS在250～280℃进行纺膜，将喷膜口处的PCS均匀缠绕在卷丝筒上，得到PCS原膜，通过调节卷丝筒的转速控制原膜的厚度。

4.如权利要求2所述一种大功率曲面LED散热基板的封装方法，其特征在于在步骤1)中，所述不熔化预处理采用氧化处理或电子束处理。

5.如权利要求4所述一种大功率曲面LED散热基板的封装方法，其特征在于所述氧化处理的步骤是，将纺好的薄膜放入高温炉中，25min从室温升温至100℃，再360min升温至180～200℃，保温1～3h，加热用的高温炉用升温管式炉，并在升温过程中通入流量为300ml/min的空气，电子束处理的步骤是将纺好的薄膜放入电子加速器，通入氩气保护，启动电子加速器，处理30min。

6.如权利要求2所述一种大功率曲面LED散热基板的封装方法，其特征在于在步骤1)中，所述高温烧结的步骤是将不熔化预处理过的薄膜，放入升温管式炉，通入惰性气体，流量200ml/min，设置升温程序是35min从室温升温至200℃，再200min升温至600℃，250min至850℃，100min至1000℃，200min至1200℃，保温1～3h，冷却后取出。

7.如权利要求2所述一种大功率曲面LED散热基板的封装方法，其特征在于在步骤2)中，所述表面热处理是采用1500℃升温管式炉，设置的升温程序以240min从室温升温至1200℃，全程通入气氛为空气，流量为200ml/min，保温30min。

8.如权利要求2所述一种大功率曲面LED散热基板的封装方法，其特征在于在步骤3)中，设置导电层采用丝网印刷，丝网为两条平行直线丝网，丝网间距0.8mm，丝网宽度0.2mm，印刷的具体过程是：将丝网固定在丝网印刷支架上，将固定的硅氧碳薄膜放在丝网印刷支架台和丝网之间，再调整丝网和硅氧碳薄膜之间的距离为1mm，将高温银浆涂覆在一条直线丝网的一侧，然后用橡胶刮板从一侧向另一侧刮刷2～3次，在硅氧碳薄膜上形成了两条平行的高温银浆层，再将薄膜放入1200℃升温管式炉，通入氩气保护，氩气流量为200ml/min，设置升温程序60min从室温升温至650℃，保温30～60min。

9.如权利要求2所述一种大功率曲面LED散热基板的封装方法，其特征在于在步骤3)中，设置导电层采用镀膜，在薄膜表面镀铜膜或铝膜，再通过腐蚀法加工将去除多余部分，形成导电层；所述镀膜可采用热喷涂、溅射镀膜或离子镀膜。

10.如权利要求2所述一种大功率曲面LED散热基板的封装方法，其特征在于在步骤4)中，所述封装的方式采用COB封装，其具体步骤为：

点胶，在电路需要的位置上点导电或绝缘胶，以便使芯片粘帖固定在基板上；

刺片，将多个LED芯片按照电路需求固定在基板上，最好采用机械刺片，使用机械将LED芯片依次安装在基板上，也可以采用手工刺片，在显微镜下用针将LED芯片刺到相应位置上；

点金线，使金线在芯片电极和外引线键合区之间形成欧姆接触，用金线将LED芯片连接进基板上电路；

封胶，将荧光粉与胶的混合物涂布于基板，包裹住芯粒和金线；

固化，将封胶后的基板放入烘箱中烘烤固化，将经过封胶的基板在150℃烘烤120min，使银胶固化成型，制得LED单元；

封装测试，将弯曲成型的LED单元封装为灯具，在加工过程中有可能出现断线等导致故障的现象，封装好的LED灯具要经过测试。