[发明专利]一种基于硫化镉纳米阵列的钙钛矿杂化太阳电池无效
| 申请号： | 201410289152.8 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104037324A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈红征;吴刚;顾卓韦;陈飞;傅伟飞;汪茫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硫化 纳米 阵列 钙钛矿杂化 太阳电池 | ||
1. 一种基于硫化镉纳米阵列的钙钛矿杂化太阳电池，其特征在于：包括基底（1）、透明金属电极层（2）、无机电子传输层（3）、光敏层（4）、空穴传输层（5）、金属电极层（6）；从基底（1）自下而上依次为透明金属电极层（2）、无机电子传输层（3）、光敏层（4）、空穴传输层（5）和金属电极层（6）；无机电子传输层（3）为硫化镉纳米阵列。
2. 根据权利要求1所述的一种基于硫化镉纳米阵列的钙钛矿杂化太阳电池，其特征在于：所述的硫化镉纳米阵列的形态为纳米棒、纳米线或纳米管，其高度为50-1000nm。
3. 根据权利要求1所述的一种基于硫化镉纳米阵列的钙钛矿杂化太阳电池，其特征在于：所述的基底（1）的材料为玻璃或石英。
4. 根据权利要求1所述的一种基于硫化镉纳米阵列的钙钛矿杂化太阳电池，其特征在于：所述的透明金属电极层（2）的材料为氧化铟锡、氟掺氧化锡。
5. 根据权利要求1所述的一种基于硫化镉纳米阵列的钙钛矿杂化太阳电池，其特征在于：所述的光敏层（4）的化学结构通式为CH3NH3PbI3?xBrx或CH3NH3PbI3?xClx，其中0≤x≤3。
6. 根据权利要求1所述的一种基于硫化镉纳米阵列的钙钛矿杂化太阳电池，其特征在于：所述的空穴传输层（5）为由2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、二(三氟甲基磺酰)锂和4-叔丁基吡啶组成的混合物，厚度为30-500nm。
7. 根据权利要求1所述的一种基于硫化镉纳米阵列的钙钛矿杂化太阳电池，其特征在于：所述的金属电极层（6）的材料为银、铝、镁、铜、金、氧化铟锡或氟掺氧化锡，厚度为10-300nm。
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