[发明专利]切割/芯片接合薄膜在审
| 申请号： | 201410279953.6 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104231961A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;三隅贞仁;大西谦司;菅生悠树;宍户雄一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J7/04;B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种切割/芯片接合薄膜，其为将基材、粘合剂层和粘接剂层依次层叠而成的切割/芯片接合薄膜，其中，
在所述粘接剂层上粘贴有厚度100μm的裸硅晶圆的状态下，第一切割刀片以切入深度50μm将所述裸硅晶圆切割100m后，沿所述第一切割刀片的切口、第二切割刀片以至少到达所述粘合剂层的切入深度将所述裸硅晶圆和所述粘接剂层切断100m时的所述第二切割刀片的磨耗量为20～200μm，
所述第二切割刀片的刃宽小于所述第一切割刀片的刃宽，
利用所述第一切割刀片的切口形成条件是：速度50mm/sec、转速40000rpm，
利用所述第二切割刀片的切断条件是：速度50mm/sec、转速45000rpm。
2.根据权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层的厚度/所述基材和所述粘合剂层的总厚度为0.045～0.9。
3.根据权利要求1或2所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述粘接剂层包含球状氧化铝填料作为研磨剂，所述粘接剂层中的所述球状氧化铝填料的含量为60～88重量％。
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