[发明专利]固态成像装置及其驱动方法以及电子设备有效
申请号: | 201410279898.0 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN104253952B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 野村宏利 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335;H04N5/357;H04N5/361 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 驱动 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
光电转换单元,通过对光进行光电转换来产生电荷;
光屏蔽单元,通过雕刻形成有所述光电转换单元的半导体基板而形成,从而围绕所述光电转换单元的外周,其中,所述光屏蔽单元的一部分相对于形成有所述光电转换单元的半导体基板而形成在光进入所述光电转换单元的光入射面侧上,所述光屏蔽单元的其它部分形成在与所述光入射面侧相对的相对面侧上,并且各个电位被独立地提供给光屏蔽单元的所述部分和所述其它部分;以及
转移晶体管,转移所述光电转换单元中产生的电荷,
其中,在电荷累积在所述光电转换单元中的电荷累积期间,排斥所述电荷的电位被提供给所述光屏蔽单元并且被提供给所述转移晶体管的栅电极,并且
其中,在电荷从所述光电转换单元转移的电荷转移期间,排斥所述电荷的电位被提供给所述光屏蔽单元,并且吸引所述电荷的电位被提供给所述转移晶体管的栅电极。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
导电膜,具有透光性,相对于形成有所述光电转换单元的半导体基板而层叠在光进入所述光电转换单元的光入射面侧上,
其中,在所述电荷累积期间以及所述电荷转移期间,排斥所述电荷的电位被提供给所述导电膜。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
平面电极,相对于形成有所述光电转换单元的半导体基板、以平面的方式层叠在与光进入所述光电转换单元的所述光入射面侧相对的相对面侧上,
其中,在所述电荷累积期间,排斥所述电荷的电位被提供给所述平面电极,并且
其中,在所述电荷转移期间,吸引所述电荷的电位被提供给所述平面电极。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
导电膜,具有透光性,相对于形成有所述光电转换单元的半导体基板而层叠在光进入所述光电转换单元的光入射面侧上,以及
平面电极,相对于形成有所述光电转换单元的半导体基板、以平面的方式层叠在与光进入所述光电转换单元的光入射面侧相反的相对面侧上,
其中,各个电位被独立地提供给所述转移晶体管的栅电极、所述导电膜、所述平面电极、所述光屏蔽单元的所述部分和所述其它部分。
5.一种固态成像装置的驱动方法,所述固态成像装置包括:光电转换单元,通过对光进行光电转换来产生电荷;光屏蔽单元,通过雕刻形成有所述光电转换单元的半导体基板而形成,从而围绕所述光电转换单元的外周,所述光屏蔽单元的一部分相对于形成有所述光电转换单元的半导体基板而形成在光进入所述光电转换单元的光入射面侧上,所述光屏蔽单元的其它部分形成在与所述光入射面侧相对的相对面侧上,并且各个电位被独立地提供给光屏蔽单元的所述部分和所述其它部分;以及转移晶体管,转移所述光电转换单元中产生的电荷,
所述驱动方法包括:
在电荷累积在所述光电转换单元中的电荷累积期间,将排斥所述电荷的电位提供给所述光电屏蔽单元并且提供给所述转移晶体管的栅电极;以及
在电荷从所述光电转换单元转移的电荷转移期间,将排斥所述电荷的电位提供给所述光屏蔽单元,并且将吸引所述电荷的电位提供给所述转移晶体管的栅电极。
6.一种电子设备,包括:
固态成像装置,包括:
光电转换单元,通过对光进行光电转换来产生电荷;
光屏蔽单元,通过雕刻形成有所述光电转换单元的半导体基板而形成,从而围绕所述光电转换单元的外周,其中,所述光屏蔽单元的一部分相对于形成有所述光电转换单元的半导体基板而形成在光进入所述光电转换单元的光入射面侧上,所述光屏蔽单元的其它部分形成在与所述光入射面侧相对的相对面侧上,并且各个电位被独立地提供给光屏蔽单元的所述部分和所述其它部分;以及
转移晶体管,转移所述光电转换单元中产生的电荷,
其中,在电荷累积在所述光电转换单元中的电荷累积期间,排斥所述电荷的电位被提供给所述光屏蔽单元并且被提供给所述转移晶体管的栅电极,并且
其中,在电荷从所述光电转换单元转移的电荷转移期间,排斥所述电荷的电位被提供给所述光屏蔽单元,并且吸引所述电荷的电位被提供给所述转移晶体管的栅电极。
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