[发明专利]一种像素补偿电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种像素补偿电路。

背景技术

在显示技术的发展中，有机发光二极管显示器具有轻薄、可挠曲、快速反应时间及广视角等一系列优点，被认为是最具发展前景的显示技术。其中，主动式有机发光二极管(Active matrix OLED，AMOLED)更是由于适合大尺寸与高分辨率等优点而受到更多的关注，然而现有的主动式有机发光二极管由于临界电压的变化会造成驱动OLED的电流有所不同，造成面板的亮度不均匀，影响显示品质，而且随着长时间使用而发生材料老化的现象，也会对显示质量造成影响。

现有技术中有多种补偿薄膜晶体管临界电压变化的像素补偿电路，以实现对临界电压变化的补偿，然而，现有技术的像素补偿电路设计多为使用P-type薄膜晶体管(TFT)的补偿电路，并且在像素内使用多个薄膜晶体管的组件设计，在阵列电路上几乎已经将像素空间填满，导致像素(Pixel)内其它走线的布局布线空间会受到压缩，不仅造成开口率(Aperture Ratio)过低，影响发光效率，也会增加制程上的困难度,以及阻容负荷(RC loading)。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种像素补偿电路，解决以上技术问题；

本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

一种像素补偿电路，其中，包括，

一发光器件(OLED)，串联于一第一电源电压端(VDD)与一第二电源电压端(VSS)之间，在驱动信号作用下发光；

一驱动晶体管(T4)，串联于所述发光器件(OLED)与所述第二电源电压端(VSS)之间，用以在数据电压的作用下产生所述驱动信号；

一第一电压储存单元(Cst)，并联于所述驱动晶体管(T4)的栅极和所述第二电源电压端(VSS)之间，用于储存所述数据电压；

一数据电压端(Data)可切换地通过耦合电容耦合于所述驱动晶体管(T4)的栅极，以向所述驱动晶体管(T4)的栅极写入所述数据电压；

所述发光器件(OLED)、所述第一电压储存单元(Cst)和所述驱动晶体管(T4)位于一像素内区域，所述像素补偿电路的其他元件位于对应素内区域之外的外部区域。

优选地，包括一开关管(Ta)，串联于所述数据电压端(Data)与所述耦合电容之间；

或者，包括一开关管(Ta)，串联于所述数据电压端(Data)与所述耦合电容之间，所述第一开关管(Ta)位于所述像素内区域之外的外部区域。

优选地，所述第一电压储存单元(Cst)与所述驱动晶体管(T4)的栅极之间设一电路交汇节点作为一第一参考节点(N1)；

一第二开关管(T2)连接于所述第一参考节点(N1)与所述驱动晶体管(T4)的源极之间；

或者一第二开关管(T2)连接于所述第一参考节点(N1)与所述驱动晶体管(T4)的源极之间，所述第二开关管(T2)位于所述像素内区域。

优选地，所述第二开关管(T2)与所述第一参考节点(N1)之间设一电路交汇节点作为一第二参考节点(N2)；

一第三开关管(T3)可选择地串联于所述第一参考节点(N1)与所述第二参考节点(N2)之间；或者一第三开关管(T3)可选择地串联于所述第一参考节点(N1)与所述第二参考节点(N2)之间，所述第三开关管(T3)位于所述像素内区域。

优选地，还包括一第四开关管(T1)，可选择地串联于所述第二开关管(T2)与所述驱动晶体管(T4)的源极之间；或者，还包括一第四开关管(T1)，可选择地串联于所述第二开关管(T2)与所述驱动晶体管(T4)的源极之间，所述第四开关管(T1)位于所述像素内区域；

所述第二开关管(T2)与所述第四开关管(T1)之间设一电路交汇节点作为一第四参考节点(N4)。

优选地，所述耦合电容包括一第一耦合电容(Ca)、一第二耦合电容(Cb)，所述第一耦合电容(Ca)的一端连接所述第四参考节点(N4)，另一端与所述第二耦合电容(Cb)串联，以相串联的节点作为第三参考节点(N3)，所述第二耦合电容(Cb)串联于所述第二参考节点(N2)与所述第三参考节点(N3)之间；

或者，所述耦合电容包括一第一耦合电容(Ca)、一第二耦合电容(Cb)，所述第一耦合电容(Ca)的一端连接所述第四参考节点(N4)，另一端与所述第二耦合电容(Cb)串联，以相串联的节点作为第三参考节点(N3)，所述第二耦合电容(Cb)串联于所述第二参考节点(N2)与所述第三参考节点(N3)之间，所述耦合电容位于所述外部区域。