[发明专利]一种像素补偿电路有效

专利信息
申请号: 201410273863.6 申请日: 2014-06-18
公开(公告)号: CN105225637B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 张玮轩 申请(专利权)人: 上海和辉光电有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 上海申新律师事务所31272 代理人: 吴俊
地址: 201506 上海市金山区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 补偿 电路
【权利要求书】:

1.一种像素补偿电路,其特征在于,包括,

一发光器件(OLED),串联于一第一电源电压端(VDD)与一第二电源电压端(VSS)之间,在驱动信号作用下发光;

一驱动晶体管(T4),串联于所述发光器件(OLED)与所述第二电源电压端(VSS)之间,用以在数据电压的作用下产生所述驱动信号;

一第一电压储存单元(Cst),并联于所述驱动晶体管(T4)的栅极和所述第二电源电压端(VSS)之间,用于储存所述数据电压;

一数据电压端(Data)可切换地通过耦合电容耦合于所述驱动晶体管(T4)的栅极,以向所述驱动晶体管(T4)的栅极写入所述数据电压;

所述发光器件(OLED)、所述第一电压储存单元(Cst)和所述驱动晶体管(T4)位于一像素内区域,所述像素补偿电路的其他元件位于对应素内区域之外的外部区域。

2.根据权利要求1所述的一种像素补偿电路,其特征在于,包括一第一开关管(Ta),串联于所述数据电压端(Data)与所述耦合电容之间;

或者,包括一第一开关管(Ta),串联于所述数据电压端(Data)与所述耦合电容之间,所述第一开关管(Ta)位于所述像素内区域之外的外部区域。

3.根据权利要求2所述的一种像素补偿电路,其特征在于,所述第一电压储存单元(Cst)与所述驱动晶体管(T4)的栅极之间设一电路交汇节点作为一第一参考节点(N1);

一第二开关管(T2)连接于所述第一参考节点(N1)与所述驱动晶体管(T4)的源极之间;

或者一第二开关管(T2)连接于所述第一参考节点(N1)与所述驱动晶体管(T4)的源极之间,所述第二开关管(T2)位于所述像素内区域。

4.根据权利要求3所述的一种像素补偿电路,其特征在于,所述第二开关管(T2)与所述第一参考节点(N1)之间设一电路交汇节点作为一第二参考节点(N2);

一第三开关管(T3)可选择地串联于所述第一参考节点(N1)与所述第二参考节点(N2)之间;

或者一第三开关管(T3)可选择地串联于所述第一参考节点(N1)与所述第二参考节点(N2)之间,所述第三开关管(T3)位于所述像素内区域。

5.根据权利要求4所述的一种像素补偿电路,其特征在于,还包括一第四开关管(T1),可选择地串联于所述第二开关管(T2)与所述驱动晶体管(T4)的源极之间;

或者,还包括一第四开关管(T1),可选择地串联于所述第二开关管(T2)与所述驱动晶体管(T4)的源极之间,所述第四开关管(T1)位于所述像素内区域;

所述第二开关管(T2)与所述第四开关管(T1)之间设一电路交汇节点作为一第四参考节点(N4)。

6.根据权利要求5所述的一种像素补偿电路,其特征在于,所述耦合电容包括一第一耦合电容(Ca)、一第二耦合电容(Cb),所述第一耦合电容(Ca)的一端连接所述第四参考节点(N4),另一端与所述第二耦合电容(Cb)串联,以相串联的节点作为第三参考节点(N3),所述第二耦合电容(Cb)串联于所述第二参考节点(N2)与所述第三参考节点(N3)之间;

或者,

所述耦合电容包括一第一耦合电容(Ca)、一第二耦合电容(Cb),所述第一耦合电容(Ca)的一端连接所述第四参考节点(N4),另一端与所述第二耦合电容(Cb)串联,以相串联的节点作为第三参考节点(N3),所述第二耦合电容(Cb)串联于所述第二参考节点(N2)与所述第三参考节点(N3)之间,所述耦合电容位于所述外部区域。

7.根据权利要求6所述的一种像素补偿电路,其特征在于,包括一第五开关管(Tb),可选择地串联于一参考电压端(Vr)与所述第三参考节点(N3)之间;

或者,包括一第五开关管(Tb),可选择地串联于一参考电压端(Vr)与所述第三参考节点(N3)之间;所述第五开关管(Tb)位于所述外部区域。

8.根据权利要求1所述的一种像素补偿电路,其特征在于,所述发光器件(OLED)采用有机发光二极管,所述有机发光二级管的阳极连接所述第一电源电压端(VDD),所述有机发光二极管的阴极连接所述驱动晶体管(T4)的源极。

9.根据权利要求3所述的一种像素补偿电路,其特征在于,所述第二开关管(T2)的栅极连接一第二控制信号。

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