[发明专利]硫酸氢盐离子液体中直接电沉积晶态铬镀层的方法无效
申请号: | 201410243812.9 | 申请日: | 2014-06-04 |
公开(公告)号: | CN103993337A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 何新快;李晨;吴璐烨 | 申请(专利权)人: | 湖南工业大学 |
主分类号: | C25D3/10 | 分类号: | C25D3/10;C25D3/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 412007 湖南省株洲市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硫酸 离子 液体 直接 沉积 晶态 镀层 方法 | ||
技术领域
本发明涉及离子液体电沉积金属铬的方法,特别是硫酸氢盐离子液体直接电沉积晶态铬镀层的方法。
背景技术
铬镀层,尤其是晶态铬镀层本身具有优良的耐蚀性、电磁性、电催化性等特性,现已广泛的应用于现代工业的重要领域。铬镀层可以由六价铬和三价铬镀液获得,但是,由于考虑到环境安全等因素,利用低毒环保三价铬溶液代替传统六价铬电解液成为了大势所趋。然而,通常情况下三价铬镀液中会含有一些有机物,这些有机物会参与电沉积反应,因而所得的镀层中会存在一定量的碳,使得镀层为非晶态的,并且获得铬镀层一般较薄。如李柏松采用三价铬电解液电沉积Cr-P镀层,但是镀层厚度不超过5μm。离子液体作为一种“绿色溶剂”,具有独特的物理化学性质(电化学窗口宽、电导性好、低熔点、非挥发性),所以开发离子液体中铬镀层的制备技术备受关注。2004年Abbott采用ChCl/CrCl3·6H2O离子液体电沉积三价铬并成功的获得了铬镀层,但此铬镀层的硬度仅为242 Hv,较三价铬水溶液体系制备的铬镀层硬度(典型的硬度为800-900 Hv)要低。2011年,S Eugénio等首次对[BMIM]BF4离子液体中三价铬的电沉积行为进行系统的研究,并成功制备了三价铬黑铬镀层,但其结构为非晶态如需制备晶态铬镀层,还需经过后续的高温热处理。2014年,哈斯木等采用[BMIM]PF6离子液体,成功的获得了铬镀层,但是在沉积层中含有P, C, N, O 等元素,其结构为非晶态。这表明[BMIM]BF4和[BMIM]PF6也参加了电沉积过程,因此所得镀层为非晶态。
发明内容
为了解决普通水溶液体系三价铬镀层存在严重质量缺陷(多针孔)与工艺缺陷(电流效率低)和现有离子液体体系中难直接制备晶态铬镀层等问题。本发明充分利用离子液体镀液体系的特点,提供一种离子液体直接电沉积晶态铬镀层的方法。本发明方法简单,操作容易,具有经济实用性和低毒性的特点。
本发明的目的是通过下述方式实现的:
1-乙基-3-甲基咪唑硫酸氢离子液体直接电沉积晶态铬镀层的方法,包括离子液体镀液的配制、电沉积技术工艺等。具体工艺和条件为:(1)Cr3+选用无水CrCl3,CrCl3·6H2O或Cr2(SO4)3·6H2O, 或CrCl3·6H2O和Cr2(SO4)3及Cr2(SO4)3·6H2O的混合物,溶剂为1-乙基-3-甲基咪唑硫酸氢离子液体([EMIM]HSO4)。配制镀液前,无水CrCl3或CrCl3·6H2O或Cr2(SO4)3及Cr2(SO4)3·6H2O需在40-100℃温度下干燥至恒重。配制后,镀液需在真空干燥的条件下静置反应3-75 h小时,即得待用的离子液体镀液。(2)以预处理好的被镀件(金属或金属合金制品)试样为阴极,以不溶性阳极(如石墨、铂片等)为阳极。电镀方式可为挂镀、滚镀、刷镀等。电解液配方和电沉积工艺参数:Cr3+ 0.05-1.1 mol·L-1,溶剂为[EMIM]HSO4离子液体。电沉积镀液温度不高于100℃, 阴极电流密度最大可达25.0 mA·cm-2,阴、阳极间距 0.5-70 cm。在上述工艺条件下,可获得晶态铬镀层,铬镀层厚度随电沉积时间延长而增厚,最厚可达22 μm(微米)。
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