[发明专利]激光加工装置有效
申请号: | 201410224998.3 | 申请日: | 2014-05-26 |
公开(公告)号: | CN104209650B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 小林贤史 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B23K26/042 | 分类号: | B23K26/042;B23K26/03 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 加工 装置 | ||
本发明提供激光加工装置,其具有:具有向卡盘台所保持的被加工物会聚照射激光光线的聚光物镜的激光光线照射构件;检测该卡盘台所保持的被加工物的上表面高度位置的高度位置检测构件;使聚光物镜在与卡盘台的保持面垂直的Z轴方向上移动的聚光点位置调整构件;在X轴方向上加工进给卡盘台的加工进给构件;用于检测卡盘台的X轴方向位置的X轴方向位置检测构件;以及控制构件,其具有存储高度计测值和X坐标的存储构件,使加工进给构件工作而在X轴方向上移动卡盘台所保持的被加工物,同时根据存储构件所存储的与X坐标对应的高度计测值控制聚光点位置调整构件,并且与X坐标对应地在显示构件上显示高度位置检测构件检测的高度信息。
技术领域
本发明涉及具有检测保持被加工物的卡盘台所保持的被加工物的上表面高度位置的功能的激光加工装置。
背景技术
在半导体器件制造步骤中,在大致圆板形状的半导体晶片的表面,由排列为格子状的分割预定线划分出多个区域,在该划分出的区域中形成IC、LSI等器件。然后,沿着间隔道切断半导体晶片,由此对形成有器件的区域进行分割而制造出各个半导体器件。此外,在大致圆板形状的蓝宝石基板、碳化硅基板、氮化镓基板等的表面层叠由n型半导体层和p型半导体层构成的发光层,并且在通过形成为格子状的多个分割预定线划分出的多个区域中形成发光二极管、激光二极管等光器件,从而构成光器件晶片。然后,通过沿着分割预定线分割光器件晶片制造出一个个光器件。
作为上述半导体晶片和光器件晶片等的沿着分割预定线进行分割的方法,还尝试如下的激光加工方法:使用相对于晶片具有透过性的脉冲激光光线,将聚光点定位到应该分割的区域的内部照射脉冲激光光线。在使用该激光加工方法的分割方法中,从晶片的一个面侧将聚光点对齐到内部而照射相对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线,沿着分割预定线在晶片内部连续形成改质层,沿着由于形成该改质层而使强度低下的分割预定线施加外力,由此对被加工物进行分割。(例如参照专利文献1。)在这样沿着形成于被加工物的分割预定线在内部形成改质层的情况下,重要的是将激光光线的聚光点定位到距离被加工物的上表面的规定深度位置处。
然而,在半导体晶片等板状的被加工物中有起伏,其厚度存在差异,因此难以实施均匀的激光加工。即,在将聚光点定位到晶片的内部并通过沿着分割预定线照射激光光线而形成改质层的技术中,为了提高激光光线的峰值功率密度,采用了数值孔径(NA)高达0.8左右的聚光透镜,当照射激光光线的晶片的照射面(上表面)有起伏(凹凸)且上表面高度位置发生变化时,没有将激光光线的聚光点定位到恰当的位置,从而无法在规定的深度位置处均匀地形成改质层。
为了消除上述问题,下述专利文献2、专利文献3、专利文献4中公开了如下技术:计测形成于保持被加工物的卡盘台所保持的晶片的分割预定线的上表面高度位置来生成各分割预定线的上表面高度位置信息,在将聚光点定位到晶片的内部并通过沿着分割预定线照射激光光线而形成改质层时,与上表面高度位置对应地控制聚光点位置调整构件,所述聚光点位置调整构件根据上述上表面高度位置信息调整聚光透镜的聚光点。
【专利文献1】日本特许第3408805号公报
【专利文献2】日本特开2011-122894号公报
【专利文献3】日本特开2012-2604号公报
【专利文献4】日本特开2009-63446号公报
而且,即便使聚光点位置调整构件根据卡盘台所保持的被加工物的上表面高度位置信息进行工作,有时也无法追随高度位置信息而稍微延迟工作,存在不能将激光光线的聚光点定位到恰当的位置从而加工精度恶化的问题。
发明内容
本发明正是鉴于上述事实而完成的,其主要的技术课题在于提供一种激光加工装置,该激光加工装置具有确认聚光点位置调整构件是否正在追随卡盘台所保持的被加工物的上表面高度位置信息进行工作的功能。
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