[发明专利]一种强荧光碲化镉量子点的制备方法有效
申请号: | 201410223895.5 | 申请日: | 2014-05-26 |
公开(公告)号: | CN103979506A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 方群玲 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04;C09K11/88;B82Y40/00;B82Y20/00 |
代理公司: | 合肥金安专利事务所 34114 | 代理人: | 金惠贞 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 荧光 碲化镉 量子 制备 方法 | ||
技术领域
本发明为一种强荧光碲化镉量子点的制备方法,具体为巯基乙酸配位的水溶性碲化镉量子点的制备。
背景技术
量子点是当材料三维尺寸小到一定临界点,抽象成一个点后,具有量子限域效应,其结构和性质也随之发生从宏观到微观的转变。量子点具有独特的光学性质,具有宽的激发光谱、窄的发射光谱且发射波长可调控、可忽略的光漂白性。它在光电子器件、纳米材料、生物医学成像等领域中都有非常重要的应用前景。目前,水相碲化镉(CdTe)量子点的合成方法主要操作步骤如下:(1).0.985 g 六水合高氯酸镉溶解到125 mL水中,加入5.7 mmol巯基乙酸(TGA)作为稳定剂。然后,逐滴加入1 mol/L NaOH水溶液,调节溶液pH到11.2-11.8。上述溶液置于三颈烧瓶中,通氮气除氧30分钟。第二步:0.2 g (0.46 mmol) Al2Te3与15 mL 0.5 mol/L H2SO4在氮气保护下反应产生H2Te气体,用缓慢的氮气流将H2Te气体通入第一步反应液中,产生CdTe晶核,最后在空气下回流生成CdTe量子点。此方法产生的CdTe量子点的荧光量子产率约10%。(Gaponik, N.; Talapin, D. V.; Rogach, A. L.; Hoppe, K.; Shevchenko, E. V.; Kornowski, A.; Eychmuller, A.; Weller, H. Thiol-Capping of CdTe Nanocrystals: An Alternative to Organometallic Synthetic Routes, J. Phys.Chem. B2002, 106, 7177-7185.)(2).在氮气保护下,将制得的NaHTe加入巯基乙酸稳定pH为9的CdCl2溶液中,[Cd]=0.00125或0.0188 mol/L,Cd2+/TGA/HTe-为1:2.4:0.2。40 mL上述CdTe前躯体放入铁氟龙反应釜中,反应釜在160℃或180℃下反应生成CdTe量子点。此方法产生的CdTe量子点的荧光量子产率约30%。(Zhang, H.; Wang, L.; Xiong, H.; Hu, L.; Yang, B.; Li, W. Hydrothermal Synthesis for High-Quality CdTe Nanocrystals, Adv. Mater.2003, 15, 1712-1715)。
发明内容
为了进一步提高荧光量子产率,在现有的水相碲化镉(CdTe)量子点的合成方法的基础上,本发明提供一种强荧光碲化镉量子点的制备方法。
具体的技术解决方案如下:
一种强荧光碲化镉量子点的制备方法,以巯基乙酸(TGA)为稳定剂,用氨水与1 mol/L氢氧化钠的混合溶液来中和巯基乙酸(TGA)的酸性,调节反应介质的pH值,镉:巯基乙酸:碲(Cd:TGA:Te )的摩尔比为 1:2.5:0.25或者1:1.3:0.25,在水相介质中,加热回流5小时,制备出具有高荧光强度的碲化镉量子点。
制备强荧光碲化镉量子点的具体操作步骤如下:
(1)将0.55 g水合氯化镉溶解到125 mL 蒸馏水中,在搅拌下加入0.42 mL或0.22 mL巯基乙酸作为稳定剂,镉与巯基乙酸的摩尔比为1:2.5或1:1.3,将混合碱液逐滴加入到上述水溶液中,调节pH值至9或12,通氮气鼓泡除氧30分钟,得到除氧的氯化镉水溶液;
(2)将0.11g硼氢化钠、0.08g碲粉和3mL水反应至溶液澄清,然后加入20 mL浓度 0.5 mol/L的稀硫酸,产生碲化氢气体;
(3)将碲化氢气体通入除氧的氯化镉水溶液中,形成碲化镉晶核,在空气环境下加热回流5小时形成荧光碲化镉量子点,绿色碲化镉量子点的荧光量子产率分别为26%和45%。
所述混合碱液由30%的浓氨水和1 mol/L的氢氧化钠水溶液按体积比1:2配制而成。
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