[发明专利]一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构

权利要求书

1.一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构，在P衬底片的上表面设置一层N阱，N阱从PMOS管区域的硅片表面向下扩散，构成PMOS管的背栅，在PMOS管区域的硅片上间隔的设置有大有源区、小有源区和场区，所述大、小有源区的上表面设置有栅氧化物和复数个接触孔，所述场区的上表面设置有场氧化物构成大、小有源区之间的隔离，所述小有源区处设置有N+注入扩散区，所述N+注入扩散区与接触孔相连接，构成背栅的引出端，所述大有源区的两端分别设置有P+注入扩散区，两处P+注入扩散区分别与接触孔相连接，构成PMOS管的源极和漏极，其特征在于：在大有源区的两处P+注入扩散区之间设置有P型掺杂多晶硅栅，所述P型掺杂多晶硅栅延伸至场区，构成PMOS管的栅极。

2.如权利要求1所述的一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构，其特征在于：所述P型掺杂多晶硅栅和N阱构成的PMOS管的背栅之间将产生功函数差，进而使得PMOS管的栅极下方的背栅表面上形成一条P型导电沟道。

3.如权利要求1所述的一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构，其特征在于：所述P型掺杂多晶硅的厚度为2500?。

4.如权利要求1所述的一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构，其特征在于：所述场氧化物的厚度为3500~5000?。

5.如权利要求1所述的一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构，其特征在于：所述栅氧化物的厚度为125?。

6.如权利要求1所述的一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构，其特征在于：所述N阱从PMOS管区域的硅片表面向下扩散的深度为2~4um。

7.如权利要求1所述的一种无耗尽注入的耗尽型PMOS管结构，其特征在于：所述N+注入扩散区和P+注入扩散区与接触孔通之间通过金属布线形成欧姆接触。