[发明专利]平坦化装置及应用其的平坦化方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种平坦化装置及应用其的平坦化方法，且特别是有关于一种可拆式遮垫的平坦化装置及应用其的平坦化方法。

背景技术

在平坦化工艺中，研磨液容易喷溅到平坦化装置的操作臂上。研磨液含有大量的固态颗粒，导致喷溅于操作臂的固态颗粒容易凝结成大尺寸的结晶颗粒。当大尺寸结晶颗粒于平坦化工艺中掉落于研磨垫上，被研磨的基板容易被此大尺寸结晶颗粒刮伤。

发明内容

本发明是有关于一种平坦化装置及应用其的平坦化方法，一实施例中，可改善基板容易被此大尺寸结晶颗粒刮伤的问题。

根据本发明的一实施例，提出一种平坦化装置。平坦化装置包括一平台、一研磨垫、一操作臂、一撷取头及一第一遮垫。研磨垫设于平台上。撷取头可转动地配置于操作臂。第一遮垫可拆卸地设于操作臂的下表面。

根据本发明的另一实施例，提出一种平坦化方法，平坦化方法包括以下步骤：提供一平坦化装置；平坦化装置包括一平台、一研磨垫、一操作臂、一撷取头及一第一遮垫；研磨垫设于平台上；撷取头可转动地配置于操作臂；第一遮垫可拆卸地设于操作臂的下表面；提供一半导体结构，半导体结构包括一基板及一层结构，层结构形成于基板上；平坦化装置的撷取头撷取半导体结构；撷取头带动半导体结构转动并驱动半导体结构的层结构接触研磨垫，以平坦化层结构。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的平坦化装置的外观图。

图1B绘示图1A的平坦化装置的局部剖视图。

图2绘图1B的第一遮垫的底视图。

图3绘依照本发明另一实施例的第一遮垫及第二遮垫的底视图。

图4A绘示依照本发明另一实施例的平坦化装置的局部剖视图。

图4B绘图4A的第一遮垫的底视图。

【符号说明】

10：半导体结构

11：层结构

12：基板

100、200：平坦化装置

110：平台

120：研磨垫

130：操作臂

131：第一臂

132：第二臂

1311：第一端

1312：第二端

1321：第三端

1322：第四端

1311s：第一下表面

1321s：第二下表面

1321s：第三下表面

1322s：第四下表面

133：转轴

134：固定元件

1341：头部

135：锁孔

140：撷取头

140s1：第一侧面

140s2：第二侧面

150、250：第一遮垫

150a：贯穿孔

150r：凹槽

150t、250t：第一凹口

150t1、170t1：底面

160：喷嘴

170：第二遮垫

170t：第二凹口

A1：角度

D1、D2：外径

H1、H2、H3：间隙

P1：方向

S1：研磨液

S11：研磨颗粒

R1、T2：厚度

W1、W2：宽度

具体实施方式

请参照图1A及图1B，图1A绘示依照本发明一实施例的平坦化装置的外观图，图1B绘示图1A的平坦化装置的局部剖视图。平坦化装置100包括多个平台110、多个研磨垫120、操作臂130、多个撷取头140及多个第一遮垫150。

如图1A所示，各研磨垫120设于对应的平台110上，用以研磨半导体结构10(图1B)的层结构11(图1B)。当半导体结构10在其中一个平台110完成研磨后，操作臂130可转动一角度A1，例如是45度，以带动半导体结构10到下一个平台110，进行对应的研磨工艺。半导体结构10依序经过多个平台110的研磨垫120的研磨后，方完成一平坦化工艺。