[发明专利]一种用合金法高效去除硅中的磷的方法在审
| 申请号: | 201410207011.7 | 申请日: | 2014-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN104030291A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
| 发明(设计)人: | 陈健;李彦磊;班伯源;李京伟;张涛涛;戴松元 | 申请(专利权)人: | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
| 代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
| 地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 合金 高效 去除 中的 方法 | ||
1.一种用合金法高效去除硅中的磷的方法,其特征在于具体步骤如下:
(1)配料:将工业硅与熔剂金属混合放入坩埚中,工业硅的比例占合金材料重量的20%-50%;
(2)加热熔炼:将坩埚放入加热炉中加热,直至硅和熔剂金属完全熔化为充分混合的合金液体,然后将合金熔体冷却到稍微高于合金成分液相线的温度;
(3)结晶:控制熔体冷却速率,使熔体以低于10mK/s的速度从液相线温度开始降温至567℃-700℃,硅会以粗大的片状初晶硅晶体形式从熔体中析出,剩余的熔体最后凝固形成合金基体;
(4)硅晶体与基体的分离:在凝固完成后用盐酸,硝酸等酸腐蚀去除合金基体;或者在凝固接近完成时将未凝固的熔体倒出或将硅晶体从熔体中捞出,然后再用酸洗去除初晶硅片表面附着的合金基体即可获得P元素含量较低的片状硅晶体。
2.根据权利要求1所述的一种用合金法高效去除硅中的磷的方法,其特征在于,所述步骤(1)中熔剂金属可以是Al或者Al与Sn、 Ga、Cu、Fe等元素形成的Al基合金。
3.根据权利要求1所述的一种用合金法高效去除硅中的磷的方法,其特征在于,所述步骤(2)中加热方式可以是电阻加热、燃气加热、感应加热等,加热熔化温度为700-1500℃。
4.根据权利要求1所述的一种用合金法高效去除硅中的磷的方法,其特征在于,所述步骤(2)中坩埚外部需要使用保温性能很好的耐火材料隔热,或者采用辅助加热措施保温,防止熔体冷却过快。
5.根据权利要求1所述的一种用合金法高效去除硅中的磷的方法,其特征在于,所述步骤(3)中降温速度优选低于1mK/s。
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