[发明专利]分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器

权利要求书

1.一种分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，包括多模波导及分别形成于所述多模波导两侧的DBR光栅波导，其特征在于：所述多模波导的宽度至少为所述DBR光栅波导宽度的两倍。

2.根据权利要求1所述的分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，其特征在于：所述DBR光栅波导至少包括一个光栅周期，所述光栅周期包括第一光栅波导及第二光栅波导，其中，所述第一光栅波导的宽度小于所述第二光栅波导的宽度。

3.根据权利要求2所述的分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，其特征在于：所述第一光栅波导自下而上依次包括半绝缘GaAs衬底、下金属层、下接触层、有源区、上接触层及上金属层；所述第二光栅波导自下而上依次包括半绝缘GaAs衬底、下金属层、下接触层、有源区、上接触层及上金属层；其中，与所述多模波导两侧直接相连的第一光栅波导或第二光栅波导无上金属层。

4.根据权利要求3所述的分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，其特征在于：所述上金属层为整片金属，所述下金属层为整片金属。

5.根据权利要求3所述的分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，其特征在于：与所述多模波导两侧直接相连的第一光栅波导或第二光栅波导的上接触层被去除。

6.根据权利要求1所述的分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，其特征在于：所述多模波导自下而上依次包括半绝缘GaAs衬底、下金属层、下接触层、有源区、上接触层及上金属层。

7.根据权利要求3或6所述的分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，其特征在于：所述有源区包括束缚态到连续态跃迁结构、共振声子结构或啁啾晶格结构。

8.根据权利要求1所述的分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，其特征在于：所述分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器的输出激光模式同时满足单纵模和单横模。

9.根据权利要求1所述的分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，其特征在于：所述多模波导或所述DBR光栅波导采用半绝缘等离子波导结构或双面金属波导结构。

10.根据权利要求1所述的分布式布拉格反射结构的太赫兹量子级联激光器，其特征在于：所述多模波导及所述DBR光栅波导的最优尺寸通过光束传播法或有限元法设计得到。